王文欣
- 作品数：7 被引量：22H指数：2
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：深圳市科技计划项目广东省粤港关键领域重点突破项目广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- Si基GaN薄膜外延技术与无掩膜横向外延生长研究
- GaN基Ⅲ族氮化物由于其在从紫外到可见光波段高效光电器件制作中的成功应用而成为半导体材料研究领域的主要前沿课题之一。本文利用低压金属有机物化学汽相沉积系统(LP-MOCVD)分别在c面蓝宝石(Sapphire)衬底和Si...
- 王文欣
- 关键词：化学汽相沉积半导体材料半导体薄膜
- 文献传递
- 过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响被引量：2
- 2005年
- 为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。
- 冯玉春胡加辉张建宝王文欣朱军山杨建文郭宝平
- 关键词：SI(111)CANALNALGAN
- 低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂
- 2006年
- 为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A lN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-A lN生长温度。采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A lN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-A lN插入层的生长温度为680℃左右。
- 冯玉春刘晓峰王文欣彭冬生郭宝平
- 关键词：SI(111)GANAIN
- 蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜
- 一种蓝宝石衬底上无掩膜横向外延生长高质量的III族氮化物薄膜的新技术，该技术采用化学腐蚀的方法腐蚀蓝宝石衬底，以形成一定图案的蓝宝石衬底1，提供横向外延基底，缓冲层2为低温GaN薄膜，3为横向外延生长的高温GaN薄膜。缓...
- 彭冬生冯玉春牛憨笨王文欣
- 文献传递
- Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触被引量：2
- 2005年
- 通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。
- 冯玉春张建宝朱军山杨建文胡加辉王文欣
- 关键词：欧姆接触
- 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响被引量：3
- 2007年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下,外延生长的GaN薄膜晶体质量最优,其(0002)面上的XRD半峰全宽为202 .68arcsec ,(10-12)面上的XRD半峰全宽为300 .24arcsec ;其均方根粗糙度(RMS)为0 .184 nm.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
- 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法被引量：15
- 2006年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析,结果表明,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜,其(0002)面上的XRDFWHM为208.80弧秒,(1012)面上的为320.76弧秒.同时,此方法也克服了传统横向外延生长技术(LEO)工艺复杂和晶向倾斜高的缺点.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
