施炜
- 作品数：7 被引量：24H指数：3
- 供职机构：深圳大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 单环有源的双环耦合共振腔
- 一种单环有源的电控双环耦合共振腔元器件。它由一个有源环形共振腔、一个无源环形共振腔、一个耦合两环形共振腔的耦合器与另外若干个耦合器组成。两环形共振腔上均制作有电极，分别独立地通过电流注入载流子对光波进行调制，调制速度可达...
- 段子刚施炜
- 文献传递
- 多量子阱中注入载流子的非均匀分布被引量：2
- 2006年
- 根据多量子阱中注入载流子的输运机制,计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布.引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度,分析了各种敏感因素对载流子非均匀分布的影响.指出注入载流子分布的非均匀性,随量子阱数、注入电流、量子垒高度的增加而显著增加,随工作温度的升高而减小.
- 施炜黄黎蓉段子刚冯玉春
- 关键词：多量子阱
- Al/_xGa/_（1-x）N//GaN调谐分布布拉格反射镜与单环有源的双环耦合硅基微环共振腔的研究
- 本文的主要工作是对两种新型半导体器件结构的设计、计算模拟和分析。这两种器件分别是应用于GaN基发光二极管/(Light emitting diode,LED/)的AlxGa1-xN//GaN调谐布拉分布反射镜/(Tune...
- 施炜
- 关键词：氮化镓
- 文献传递
- 基于调谐分布布拉格反射镜的发光二极管
- 一种新型的调谐分布布拉格反射镜(Tuned Distributed Bragg Reflectors，TDBR)以及基于TDBR的新型发光二极管(LED)结构。与传统的分布布拉格反射镜(DBR)不同，构成TDBR的各层材...
- 冯玉春施炜郭宝平彭冬生牛憨笨
- 文献传递
- 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响被引量：3
- 2007年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下,外延生长的GaN薄膜晶体质量最优,其(0002)面上的XRD半峰全宽为202 .68arcsec ,(10-12)面上的XRD半峰全宽为300 .24arcsec ;其均方根粗糙度(RMS)为0 .184 nm.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
- Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量被引量：3
- 2006年
- 通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。
- 卫静婷冯玉春李炳乾杨建文刘文王质武施炜杨清斗
- 关键词：比接触电阻率
- 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法被引量：15
- 2006年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析,结果表明,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜,其(0002)面上的XRDFWHM为208.80弧秒,(1012)面上的为320.76弧秒.同时,此方法也克服了传统横向外延生长技术(LEO)工艺复杂和晶向倾斜高的缺点.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
