王永坤
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京航空航天大学航空科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真被引量：1
- 2004年
- 开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术,对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明,图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处,最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较,结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。
- 王永坤余建祖余雷陈大鹏
- 关键词：X射线掩模有限元
- X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析被引量：2
- 2003年
- X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中,掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素,如果控制不当,会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀,使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型,并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明:采用背面后烘方式,在达到稳态时出现高温区和低温区,最大温差为10.19℃,容易造成光刻胶局部烘烤过度,而采用正面后烘方式,掩模达到稳态的时间短,温度分布均匀,烘烤效果好。
- 王永坤余建祖余雷陈大鹏
- 关键词：X射线光刻掩模有限元技术
- X射线掩模电子束制备图形过程中的数值研究被引量：1
- 2005年
- 得到移动光源照射下平板温度分布的理论解,验证了有限元方法的正确性。建立了X射线掩模电子束制备图形过程中传热的三维有限元模型,给出了掩模瞬态温度变化规律。结果表明,辐射是X射线掩模在图形制备中必须考虑的重要因素之一,当不考虑辐射时,掩模瞬时最高温度随时间振荡升高,最高温度为35.20℃;当考虑辐射时,掩模瞬时最高温度随时间周期变化,最高温度为26.95℃。
- 王永坤余建祖
- 关键词：掩模温度分布有限元分析
- 综合性换热器热动力特性试验台的研制被引量：2
- 2005年
- 研制了多系统综合性换热器热动力特性试验台。该试验台包括大、小两个风路、高温空气路、冷却液路、机油路5个循环回路。在Windows平台下实现试验台高精度的自动控制和数据的采集、分析和计算。采用VC++6.0开发的控制软件具有良好的使用界面和数据监控、保存及打印输出功能。试验证明,该试验台的系统误差在0.3%～2.7%之间,具有很高的采集和调节精度。
- 柳毅余建祖张涛王永坤
- 关键词：换热器试验台自动控制测控系统
- X射线光刻掩模加工过程中的形变研究
- 2005年
- 对以SiNx 为衬基的X射线光刻掩模在背面刻蚀过程中的形变进行数值仿真 ,研究了Si片和衬基的各种参数对掩模最大平面内形变和非平面形变的影响。结果表明 ,参数的变化明显影响最大非平面形变量。当Si片的厚度和直径增大 ,衬基的厚度和初始应力减小时 ,最大平面内形变与非平面形变减小 ,而衬基的材料对两者的影响不明显。
- 王永坤余建祖余雷
- 关键词：掩模X射线光刻刻蚀显影形变量
- SiN_x薄膜热物性参数实验测量与分析研究被引量：3
- 2004年
- 采用一种新的实验测量方案 ,将金属加热单元与温度探测单元合二为一 ,间接获得了在半导体和微电子学MEMS领域内有重要用途的SiNx 薄膜的导热系数、发射率、比热容和热扩散系数 ,并对实验结果进行了不确定度分析 ,为微电子电路设计和掩模成型工艺等提供了可靠的热物性数据 .实验结果表明 ,薄膜的导热系数、发射率、热扩散系数远比相应体材质低 ,而且还与温度、厚度有关 ,尺寸效应显著 。
- 余雷余建祖王永坤
- 关键词：薄膜物理微尺度传热热物性参数比热容热扩散系数
