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赵艳黎

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 22篇样片
  • 21篇退火
  • 15篇石墨烯纳米带
  • 15篇外延炉
  • 15篇纳米
  • 15篇纳米带
  • 13篇电子器件
  • 13篇微电子
  • 13篇微电子器件
  • 11篇石墨
  • 11篇石墨烯
  • 9篇图形化
  • 9篇CU膜
  • 9篇衬底
  • 7篇SIC衬底
  • 7篇3C-SIC
  • 5篇氯气
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 3篇碳膜

机构

  • 26篇西安电子科技...

作者

  • 26篇赵艳黎
  • 24篇张克基
  • 24篇郭辉
  • 24篇张玉明
  • 17篇雷天民
  • 8篇张凤祁
  • 7篇汤晓燕
  • 4篇汤小燕
  • 2篇张晨旭
  • 1篇韦超
  • 1篇胡彦飞

年份

  • 3篇2014
  • 15篇2013
  • 8篇2012
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于C注入的Cu膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种基于C注入的Cu膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法。其实现步骤是：（1）在清洗后的Si衬底基片上生长一层碳化层；（2）在温度为1200℃-1350℃下进行3C-SiC异质外延薄膜的生长；（3）制作由100-2...
郭辉赵艳黎张玉明汤晓燕张克基
基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯中的电子迁移率降低的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清...
郭辉张克基张玉明张凤祁赵艳黎雷天民
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基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、制作器件时由于光刻工艺使石墨烯中的电子迁移率降低的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；...
郭辉张克基张玉明赵艳黎张凤祁雷天民
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向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其制作过程为：(1)在Si衬底基片上先生长...
郭辉张克基张玉明张凤祁赵艳黎雷天民
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基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯需要先光刻图形化后才可制成晶体管，且过程复杂，生产率低的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行清洗；再在SiC样片表面淀积一层S...
郭辉赵艳黎张玉明汤小燕雷天民张克基
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基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；再制作由隔离带和离子注入带组成的掩膜板；然后对清洗后的SiC样片中离子注入带区域注入C离子；接着将SiC样片...
郭辉赵艳黎张玉明汤晓燕张克基
向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其制作过程为：(1)在Si衬底基片上先生长...
郭辉张克基张玉明张凤祁赵艳黎雷天民
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基于Cu膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法。其实现步骤是：(1)对SiC样片进行标准清洗；(2)在SiC样片表面淀积SiO<Sub>2</Sub>，并在SiO<Sub>2</Sub>上光刻出图形；(3...
郭辉赵艳黎张玉明汤小燕雷天民张克基
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基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法。其实现步骤是：(1)将清洗后的Si样片放入CVD系统反应室中，生长一层碳化层；(2)对反应室升温至1200℃-1350℃，在碳化层上生长3C-SiC异质外延...
郭辉赵艳黎张玉明汤晓燕张克基
基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制作的石墨烯作为晶体管沟道材料进行光刻工艺时会引起损伤，导致电子迁移率下降的问题。其实现步骤是：(1)在Si衬底上生长碳化层作...
郭辉赵艳黎张玉明汤小燕雷天民张克基
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