边娜
- 作品数：5 被引量：13H指数：1
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- Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法
- 本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上...
- 刘玉岭王娟边娜何彦刚
- 文献传递
- 磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响被引量：13
- 2010年
- 蓝宝石晶体已经成为现代工业,尤其是微电子及光电子产业极为重要的衬底材料,提高其化学机械抛光效率是业界无法回避的问题。在CMP系统中,磨料是决定去除速率及表面状态的重要因素。分析了化学机械抛光过程中抛光液中磨料的作用以及抛光机理,在确保表面状态的基础上,研究了抛光液中磨料体积分数、粒径和抛光液的黏度对速率的影响,指出纳米磨料是蓝宝石衬底抛光的最佳磨料。选用合适的磨料体积分数、粒径及抛光液黏度,不仅获得了良好的去除速率,而且有效地解决了表面状态方面的问题。
- 刘金玉刘玉岭项霞边娜
- 关键词：蓝宝石衬底化学机械抛光磨料去除速率粒径
- 电化学方法去除Si片CMP后表面金属杂质的研究
- 2010年
- 论述了集成电路制备中Si衬底CMP过程中引入的金属杂质的危害,分析了目前CMP后清洗中金属杂质去除方法的现状和存在问题,通过对金属杂质在Si片表面的吸附进行理论分析,提出了用金刚石膜电化学清洗方法去除。该方法通过阴极对金属离子的吸附并放电还原,达到了去除微量金属杂质的目的,同时使难以去除的重金属杂质也得到了有效去除,减少了环境污染。
- 边娜檀柏梅刘玉岭牛新环刘金玉
- 关键词：化学机械抛光金属杂质电化学
- 去除硅衬底材料抛光后表面金属杂质的清洗方法
- 本发明涉及一种去除硅衬底材料抛光后表面金属杂质的清洗方法，该方法根据硅衬底材料抛光后晶片表面能量高、表面张力大、沾污金属离子严重等现象，提供一种含有螯合剂的电解氧化液进行清洗的方法。当碱性抛光刚完成后，使用该清洗液清洗硅...
- 刘玉岭檀柏梅高宝红边娜
- 文献传递
- Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法
- 本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上...
- 刘玉岭王娟边娜何彦刚
