刘金玉
- 作品数：6 被引量：19H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析被引量：1
- 2010年
- 利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验。针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光压力、抛光液流量、抛光盘转速、抛光液浓度,氧化剂质量分数)对硬盘NiP基板抛光去除速率的影响规律,并结合抛光机理对其进行了分析。试验分析表明,抛光压力为0.2 MPa,抛光液流量为500 mL/min,抛光盘转速为50 r/min,磨料质量分数为20%,氧化剂体积分数为0.3%时,可以得到较高的抛光速率,为740 nm/min。
- 项霞刘玉岭刘金玉穆会来
- 关键词：化学机械抛光碱性抛光液抛光速率正交试验
- 磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响被引量：13
- 2010年
- 蓝宝石晶体已经成为现代工业,尤其是微电子及光电子产业极为重要的衬底材料,提高其化学机械抛光效率是业界无法回避的问题。在CMP系统中,磨料是决定去除速率及表面状态的重要因素。分析了化学机械抛光过程中抛光液中磨料的作用以及抛光机理,在确保表面状态的基础上,研究了抛光液中磨料体积分数、粒径和抛光液的黏度对速率的影响,指出纳米磨料是蓝宝石衬底抛光的最佳磨料。选用合适的磨料体积分数、粒径及抛光液黏度,不仅获得了良好的去除速率,而且有效地解决了表面状态方面的问题。
- 刘金玉刘玉岭项霞边娜
- 关键词：蓝宝石衬底化学机械抛光磨料去除速率粒径
- 蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法
- 本发明涉及蓝宝石衬底材料表面高精密加工过程中化学机械抛光(CMP)抛光后表面洁净技术。提供一种选用中性介质的水抛液，该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成，当碱性抛光刚刚完成后，马上使用上述水抛液并采用大流量水抛的方法，...
- 刘玉岭牛新环刘金玉
- 文献传递
- 晶片CMP后表面纳米颗粒的去除研究被引量：5
- 2011年
- 对晶片化学机械抛光(CMP)后表面吸附的纳米颗粒去除进行了研究,分析了晶片表面吸附物的种类及吸附机理。由于晶片表面吸附的有机物多为大分子物质,它在晶片表面的吸附除了容易处理的物理吸附外,还会和晶片表面构成化学键,形成难以处理的化学吸附。对清洗过程中颗粒的去除有严重的影响,提出利用电化学清洗,结合表面活性剂和兆声波清洗的方法去除晶片表面的纳米颗粒。经金相显微镜观察和原子力显微镜检测,晶片表面纳米颗粒能得到很好地去除,效果明显优于单纯的兆声波清洗方法。
- 陈海涛檀柏梅刘玉岭牛新环刘金玉
- 关键词：化学机械抛光电化学兆声清洗
- 蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法
- 本发明涉及蓝宝石衬底材料表面高精密加工过程中化学机械抛光(CMP)抛光后表面洁净技术。提供一种选用中性介质的水抛液，该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成，当碱性抛光刚刚完成后，马上使用上述水抛液并采用大流量水抛的方法，...
- 刘玉岭牛新环刘金玉
- 电化学方法去除Si片CMP后表面金属杂质的研究
- 2010年
- 论述了集成电路制备中Si衬底CMP过程中引入的金属杂质的危害,分析了目前CMP后清洗中金属杂质去除方法的现状和存在问题,通过对金属杂质在Si片表面的吸附进行理论分析,提出了用金刚石膜电化学清洗方法去除。该方法通过阴极对金属离子的吸附并放电还原,达到了去除微量金属杂质的目的,同时使难以去除的重金属杂质也得到了有效去除,减少了环境污染。
- 边娜檀柏梅刘玉岭牛新环刘金玉
- 关键词：化学机械抛光金属杂质电化学
