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陈沅沙

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇存储器
  • 7篇电路
  • 6篇电极
  • 6篇电压
  • 6篇存储器件
  • 5篇氧化物
  • 5篇半导体
  • 4篇电阻
  • 4篇阻值
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基二极管
  • 4篇脉冲
  • 4篇脉冲电压
  • 4篇集成电路
  • 4篇二极管
  • 4篇半导体集成
  • 4篇半导体集成电...
  • 3篇料层
  • 3篇功耗
  • 3篇硅基

机构

  • 24篇北京大学

作者

  • 24篇陈沅沙
  • 23篇高滨
  • 23篇刘力锋
  • 23篇康晋锋
  • 18篇陈冰
  • 17篇韩汝琦
  • 16篇张飞飞
  • 4篇孙兵
  • 4篇于迪
  • 2篇李博洋
  • 1篇王漪
  • 1篇郝跃

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种减小阻变存储器阻值离散性的方法
本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法，该方法包括：S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态；S2、在SET过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低...
康晋锋高滨陈冰陈沅沙刘力锋 刘晓彦韩汝琦
文献传递
氧化物材料和器件的电阻变换行为和自束缚载流子机制
本论文涉及到氧化物材料中电阻变换效应和自束缚载流子机制的相关研究。近年来，多种不同氧化物材料和器件在电场的调整下显示出电阻值在高电阻态和低电阻态之间变化。这种由电压调整获得的电阻变换效应可能应用于制备下一代电阻型的非易失...
陈沅沙
关键词：氧化物半导体氧化物材料
利用阻变器件实现积分运算方法
本发明公开了一种利用阻变器件实现积分运算方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述方法包括：S1：对待输入信号进行时间采样；S2：对阻变器件进行复位操作；S3：将时间采样后的待输入信号输入所述阻变器件的阳电极；S4：...
康晋锋陈冰高滨张飞飞陈沅沙刘力锋 刘晓彦
单极阻变存储器及其制造方法
一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成...
康晋锋张飞飞陈沅沙陈冰高滨刘力锋 刘晓彦韩汝琦
一种基于阻变器件的加法器电路
本发明涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种基于阻变器件的加法器电路。本发明利用具有多个阻态的阻变器件来构建加法器电路，减少了由进位信号产生的额外电路，减少电路实现面积和延时，降低电路成本；此外，经过简单的电路改动即可同...
刘力锋于迪陈冰高滨张飞飞陈沅沙刘晓彦康晋锋
阻变存储器单元及其制造方法
一种阻变存储器单元及其制造方法，该阻变存储器单元包括具有顶电极、底电极以及形成在所述顶电极和底电极之间的阻变层的阻变存储器，具有源极、漏极和栅极的MOS管。所述阻变存储器的底电极由硅基材料形成，并且所述MOS管的源极连接...
康晋锋陈冰高滨张飞飞陈沅沙刘力锋刘晓彦韩汝琦
文献传递
包含电阻器的存储单元的制造方法
本申请公开了一种包含电阻器的存储单元的制造方法，包括以下步骤：a)在绝缘衬底上形成底电极层；b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层；c)在阻变材料上形成顶电极层；以及d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化，以形成分隔...
刘力锋康晋锋郝跃刘晓彦陈沅沙高滨王漪韩汝琦
文献传递
一种氧化物电阻存储器件及其制备方法
本发明公开了一种氧化物电阻存储器件，包括衬底，位于所述衬底上的底电极，位于所述底电极上的氧化物控制层，位于所述氧化物控制层上的氧化物阻变层，以及位于所述氧化物阻变层上的顶电极。该器件制备工艺简单、性能可靠，提高了氧化物阻...
刘力锋高滨陈冰张飞飞李博洋于迪陈沅沙康晋锋韩汝琦
一种能够实现多进制加法计算的阻变器件及多进制加法计算的方法
一种能够实现多进制加法计算的阻变器件，以及利用阻变器件实现多进制加法计算的方法，所述阻变器件具有从高阻态到低阻态的多个阻值，每个阻值对应于一存储值，通过连续施加具有相同宽度和高度的set脉冲电压使阻变器件的存储值顺序加1...
康晋锋张飞飞高滨陈冰陈沅沙刘力锋 刘晓彦韩汝琦
阻变随机访问存储器件及制造方法
本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触...
康晋锋高滨陈沅沙孙兵刘力锋刘晓彦韩汝琦
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