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高滨

作品数：74 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 72篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 39篇存储器
  • 19篇电路
  • 14篇电压
  • 14篇衬底
  • 12篇半导体
  • 11篇存储器件
  • 10篇电极
  • 10篇电阻
  • 9篇隔离层
  • 9篇二极管
  • 8篇氧化物
  • 8篇阻值
  • 8篇集成电路
  • 8篇半导体集成
  • 8篇半导体集成电...
  • 8篇RRAM
  • 7篇料层
  • 6篇电流
  • 6篇微电子
  • 6篇肖特基

机构

  • 74篇北京大学

作者

  • 74篇高滨
  • 68篇康晋锋
  • 65篇刘力锋
  • 50篇陈冰
  • 25篇张飞飞
  • 23篇陈沅沙
  • 21篇韩汝琦
  • 17篇王漪
  • 14篇韩德栋
  • 13篇于迪
  • 11篇张兴
  • 8篇孙兵
  • 7篇龙云
  • 5篇李悦
  • 4篇傅亦晗
  • 3篇黄鹏
  • 3篇李秀红
  • 3篇马龙
  • 2篇余诗孟
  • 2篇唐晋锋

传媒

  • 1篇科技纵览

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 8篇2015
  • 12篇2014
  • 17篇2013
  • 17篇2012
  • 9篇2011
  • 2篇2010
共 74 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种RRAM逻辑器件的级联系统及方法
本发明提供一种RRAM逻辑器件的级联方法，包括以下步骤：S1、对RRAM器件施加电压信号，使得RRAM器件处于高阻态；S2、利用恒流源读取所述RRAM器件的阻值，并得到RRAM器件的放大电压；S3、将所述RRAM器件的放...
康晋锋李秀红龙云高滨陈冰
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一种减小阻变存储器阻值离散性的方法
本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法，该方法包括：S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态；S2、在SET过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低...
康晋锋高滨陈冰陈沅沙刘力锋刘晓彦韩汝琦
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减小阻变存储器转变电流的方法
本发明公开了一种减小阻变存储器转变电流的方法，涉及微电子半导体技术领域，在对存储阵列中所有阻变存储器加热的条件下完成电形成过程。本发明的方法显著减小了阻变存储器的转变电流，从而降低功耗，提高器件的可靠性。还可以有效地控制...
高滨康晋锋刘力锋
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利用阻变器件实现积分运算方法
本发明公开了一种利用阻变器件实现积分运算方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述方法包括：S1：对待输入信号进行时间采样；S2：对阻变器件进行复位操作；S3：将时间采样后的待输入信号输入所述阻变器件的阳电极；S4：...
康晋锋陈冰高滨张飞飞陈沅沙刘力锋刘晓彦
单极阻变存储器及其制造方法
一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成...
康晋锋张飞飞陈沅沙陈冰高滨刘力锋刘晓彦韩汝琦
一种基于阻变器件的加法器电路
本发明涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种基于阻变器件的加法器电路。本发明利用具有多个阻态的阻变器件来构建加法器电路，减少了由进位信号产生的额外电路，减少电路实现面积和延时，降低电路成本；此外，经过简单的电路改动即可同...
刘力锋于迪陈冰高滨张飞飞陈沅沙刘晓彦康晋锋
阻变存储器单元及其制造方法
一种阻变存储器单元及其制造方法，该阻变存储器单元包括具有顶电极、底电极以及形成在所述顶电极和底电极之间的阻变层的阻变存储器，具有源极、漏极和栅极的MOS管。所述阻变存储器的底电极由硅基材料形成，并且所述MOS管的源极连接...
康晋锋陈冰高滨张飞飞陈沅沙刘力锋刘晓彦韩汝琦
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基于阻变器件的多位全加器及其操作方法
公开了一种基于阻变器件的全加器及其操作方法。利用基于阻变器件的交叉阵列构成多位全加器电路，其中本位和数据非挥发性存储于交叉阵列主对角线上，进位数据存储于主对角线两侧相邻单元。利用存储回路(串扰回路)的连通与否存储进位数据...
刘力锋后羿陈冰高滨韩德栋王漪刘晓彦康晋锋程玉华
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具有自选择抗串扰功能的阻变存储器及交叉阵列存储电路
本发明公开了一种具有自选择抗串扰功能的阻变存储器，包括：上电极、下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的阻变层，其中，所述阻变层包括具有阻变特性的氧化物材料。本发明还提供了一种包括上述阻变存储器的交叉阵列存储电路。本发明...
陈沅沙高滨陈冰张飞飞刘力锋刘晓彦康晋锋韩汝琦
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基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现
本发明公开了基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现，该柔性存储器包括串联的薄膜晶体管和忆阻器，薄膜晶体管的衬底为柔性衬底。该方法包括如下步骤：在忆阻器件的RESET过程中，对忆阻器件施加栅压，同时在薄膜晶体管的...
刘力锋后羿李悦于迪陈冰高滨韩德栋王漪康晋锋张兴
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