2025年2月4日
星期二
|
欢迎来到滨州市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
刘盛
作品数:
3
被引量:5
H指数:2
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
更多>>
发文基金:
国家高技术研究发展计划
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
张永刚
中国科学院上海微系统与信息技术...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
期刊文章
1篇
学位论文
领域
3篇
电子电信
主题
3篇
激光
3篇
激光器
2篇
锑化物
1篇
带间跃迁
1篇
跃迁
1篇
锑化物激光器
1篇
量子阱激光器
1篇
量子阱结构
1篇
光栅
1篇
分子束
1篇
分子束外延
1篇
半导体
1篇
半导体激光
1篇
半导体激光器
1篇
GASB
1篇
INGAAS...
1篇
波段
1篇
参数设计
机构
3篇
中国科学院
作者
3篇
刘盛
2篇
张永刚
传媒
1篇
材料导报
1篇
功能材料与器...
年份
2篇
2008
1篇
2007
共
3
条 记 录,以下是 1-3
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计
被引量:3
2008年
采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2-3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。
刘盛
张永刚
关键词:
量子阱结构
半导体激光器
带间跃迁
2μm波段锑化物量子阱激光器参数设计与光栅制备研究
本论文针对2μm中红外波段InGaAsSb/GaSb多量子阱激光器的特点和存在的问题,对激光器参数进行了设计,对不同温度生长的InGaAsSb/GaSb多量子阱材料进行了性能表征,对采用全息曝光法制备短周期光栅的工艺进行...
刘盛
关键词:
锑化物
锑化物激光器的研究进展
被引量:2
2007年
锑化物激光器在2~5μm波段具有广阔的应用前景。综述了锑化物激光器的研究进展,重点论述了材料生长、结构设计、器件工艺、封装技术以及新的器件结构,讨论了其中存在的主要技术问题,并指出了锑化物激光器不断向长波长方向扩展的趋势。
刘盛
张永刚
关键词:
分子束外延
锑化物
激光器
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张