张永刚
- 作品数：266 被引量：234H指数：9
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
- 李爱珍陈建新徐刚毅张永刚
- 利用本专利方法生长的InP缓冲层，可以作为下波导包裹层，有效裁剪下波导层包裹层的折射率，实现了对激光器有效的光学限制和自由载流子限制；或作为量子级联激光器的高台面深度腐蚀的腐蚀终止层，防止中红外量子级联激光器有源区电流向...
- 关键词：
- 关键词：激光器缓冲层
- 一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法
- 本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III-V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III-V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含...
- 顾溢张永刚
- FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正被引量：3
- 2016年
- 针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.
- 张永刚奚苏萍周立顾溢陈星佑马英杰杜奔
- 关键词：发射光谱发光强度光荧光傅里叶变换
- 磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
- 本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-3</Sup>高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×10<Sup>1...
- 李爱珍陈建新徐刚毅张永刚
- 文献传递
- 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法
- 本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切...
- 陈星佑张永刚顾溢马英杰
- 文献传递
- 2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1
- 2016年
- 介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1．7μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2．5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2．9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2．6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制．
- 张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音
- 关键词：半导体激光器光电探测器气态源分子束外延
- In GaAs探测器：先进航天遥感仪器之核心
- 2016年
- 在国家重点基础研究发展计划及其他相关科研项目的支持下，中国科学院上海技术物理研究所研究团队联合相关单位，开展了2．5微米波长InGaAs探测材料及器件关键科学问题研究，实现了延伸波长InGaAs探测器的自主研发及应用演示成像，为航天应用提供科学支撑。
- 龚海梅张永刚缪国庆韦欣李雪
- 关键词：INGAAS航天应用探测器遥感仪器
- InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器(英文)
- 2014年
- 采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下,激光器的峰值波长达到1.94μm,对应的阈值电流密度为2.58 kA/cm^2.随着温度升高,激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象,这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.
- 曹远迎顾溢张永刚李耀耀方祥李爱珍周立李好斯白音
- 关键词：分子束外延
- 一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器
- 本发明公开了一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器，它由InP衬底、N型InP层、氮化硅钝化层、InGaAs吸收层、P型InP帽层、P电极区、中心波长在λ<Sub>1</Sub>的Si/SiO<Sub>2</S...
- 李雪唐恒敬方家熊龚海梅段微波刘定权张永刚
- 文献传递
- 分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器被引量：1
- 2010年
- 中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致。以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78K温度下的光电导响应在红外波段的1.5～5.5μm,探测率约为2×109cm·Hz1/2·W-1。最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论。
- 何展魏晓东蔡春锋斯剑霄吴惠桢张永刚方维政戴宁
- 关键词：PBTE
