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顾溢: 作品数：140 被引量：83H指数：4; 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信机械工程理学一般工业技术更多>>

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基于数字合金的非矩形量子结构及其实现方法: 本发明涉及一种基于数字合金的非矩形量子结构及其实现方法，其特征在于：通过选择异质外延材料体系和组合设计，采用数字合金的方法实现非矩形的量子结构；所述的数字合金为两种二元或多元合金材料构成。本发明的实现方法可有效地在量子尺...; 张永刚顾溢; 文献传递

气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)被引量：4: 2006年; 从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.; 郝国强张永刚顾溢李爱珍朱诚; 关键词：光电子学光电探测器温度特性

含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化: 在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探...; 师艳辉张永刚顾溢马英杰陈星佑龚谦纪婉嫣杜奔; 关键词：光响应度暗电流

数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进（英文）被引量：1: 2019年; 研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 结构的总周期数从19 增加到38,其上所生长的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度.; 师艳辉杨楠楠马英杰顾溢顾溢龚谦陈星佑; 关键词：INGAAS 光电探测器

用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备: 本发明涉及一种用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，采用禁带宽度大于In0.53Ga0.47...; 顾溢张永刚; 文献传递

晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法: 本发明涉及一种晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法，包括：采用分子束外延法或金属有机物气相外延法，在衬底上生长晶格匹配的缓冲层、多元系光吸收层和宽禁带帽层得到光电探测器件外延结构；其中，生长过程中对多元系光...; 张永刚顾溢; 文献传递

一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器: 本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到...; 马英杰张永刚顾溢陈星佑; 文献传递

一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法: 本发明涉及一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法，自下而上为InP衬底、赝衬底和量子阱结构，其中赝衬底包括组分连续渐变缓冲层及单一组分缓冲层；制备方法即采用分子束外延法，首先在InP衬底上生长组分连续渐变的缓冲...; 顾溢张永刚; 文献传递

GSMBE生长中Bi表面剂对InP基应变量子阱激光器的影响: 2-3μm半导体激光器在气体检测、医学诊断、分子光谱学和空间点对点通讯等方面都吸引着人们越来越多的关注.该波段激光器的材料体系主要包括GaSb基和InP基两种.相比于锑化物材料体系,InP基材料体系在材料生长和器件工艺上...; 纪婉嫣顾溢陈星佑龚谦马英杰张永刚杜奔师艳辉张见; 关键词：量子阱激光器分子束外延生长性能表征