季航
- 作品数：11 被引量：34H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 光子晶体和织构化薄膜转印提高LED出光效率的方法
- 本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法，具体包括以下步骤：研制出传统的半导体发光二极管；将半导体发光二极管管芯倒装焊；制作微纳米图形转印和织构化薄膜：用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板；选用和...
- 章蓓包魁罗春雄陈志忠季航陈勇
- 文献传递
- DDME分子在石墨(HOPG)表面吸附
- 2005年
- 用扫描隧道显微镜(STM )研究了用真空沉积法在高定向有序石墨(HOPG)上制备的1,1dicyano -2 ,2 - (4 -dimethylaminophenyl)ethylene(DDME)薄膜。DDME在石墨表面形成十分平整的分子柱状堆积二维有序结构。还观察到了随覆盖度降低转变成为其他二维有序结构。
- 刘锴杜文峰季航赵汝光
- 关键词：STM物理吸附
- 同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响
- 1995年
- 利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Ｎａ吸附下于Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面对其氮化反应的影响．通过Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ芯能级谱的变化，对Ｎａ／ＩｎＰ（１００）表面的氮化反应的研究表明，碱金属Ｎａ的吸附对ＩｎＰ（１００）无明显的催化氮化作用，即使采用Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／ＩｎＰ（１００）的类多层结构，在室温下也只有极少量的氨化物形成，而无明显的催化氮化反应发生．碱金属吸附层对Ⅲ－Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制，碱金属对元素半导体的催化氮化反应，吸附的碱金属与元素半导体衬底之间无需界面反应发生．而碱金属吸附层和Ⅲ－Ⅴ族半导体衬底之间发生界面反应是碱金属对Ⅲ－Ⅴ族半导体具有催化反应的必要条件．由于碱金属吸附层和衬底之间的界面反应而形成的表面缺陷在Ⅲ－Ⅴ族半导体的催化氮化反应过程中具有重要的作用．
- 季航赵特秀王晓平吴建新徐彭寿陆尔东许振嘉
- 关键词：磷化铟半导体表面氮化反应光电子能谱
- 多层溅射方法制备WSi_x／Si薄膜技术研究被引量：1
- 1994年
- 采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以下特点：可以通过控制成分得到不同晶格结构的硅化物薄膜，可在硅衬底上形成浅接触，还可以防止金属钨的氧化．
- 王晓平赵特秀施一生季航梁齐
- 关键词：XRD硅化钨硅
- 用中能电子向前散射图像研究表面原子结构
- 1997年
- 从中能电子向前散射产生的实空间图像研究了Ｃｕ（１１１）１×１，Ｓｉ（１１１）（３×３）Ｒ３０°Ｉｎ及Ｇｅ（１１１）（３×３）Ｒ３０°Ａｇ的表面结构．Ｃｕ（１１１）１×１的图像不仅说明表面有三重旋转轴对称性，而且还表明ｆｃｃ结构一直保持到最表面一层原子．Ｓｉ（１１１）（３×３）Ｒ３０°Ｉｎ表面的图像说明Ｉｎ原子占据Ｔ４位，而不是Ｈ３位．Ｇｅ（１１１）（３×３）Ｒ３０°Ａｇ的图像说明ＨＣＴ模型是正确的．这些成功的应用说明从中能电子向前散射图像可以直观而且快捷地获得表面结构类型的可靠信息。
- 周旭冰季航李晓卫赵汝光杨威生
- 关键词：原子结构
- 晶粒尺寸对薄膜电阻率温度系数的影响被引量：23
- 1994年
- 报道了Ｐｄ薄膜电阻率温度系数（ＴＣＲ）随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化．实验结果表明：薄膜ＴＣＲ值远小于体材料的值，且对晶粒尺寸有一定的依赖关系；薄膜晶粒尺寸越大，其ＴＣＲ值也越大。采用晶粒间界散射的二流体模型对此结果进行了讨论。
- 王晓平赵特秀季航梁齐董翊
- 关键词：晶粒尺寸电阻率温度系数
- 磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究被引量：7
- 1993年
- 研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻率与薄膜厚度的关系与Fuchs-Sondheimer(F-S)理论基本符合,如果计入晶粒尺寸对电阻率的贡献则完全符合F-S理论。并得到Mo薄膜尚未形成连续性薄膜前的导电机制为热电子发射机制的结论。
- 季航赵特秀王晓平董翊
- 关键词：钼电阻率磁控溅射原位
- K在InP（100）表面吸附及界面反应的同步辐射光电子能谱研究
- 1995年
- 利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ在ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的吸附及其界面反应．由Ｋ吸附过程中Ｉｎ４ｄ和Ｐ２ｐ芯能级谱的变化发现：在碱金属Ｋ吸附于ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的过程中，Ｋ—Ｐ之间发生了化学反应，形成Ｋ—Ｐ化合物，当Ｋ覆盖度０＞２１０Ｓｅｃ时稳定的Ｋ—Ｐ化合物基本形成，此时Ｐ２ｐ峰的峰形和峰位基本保持不变．Ｋ—Ｉｎ之间无明显的化学反应发生，但在Ｋ的吸附过程中，碱金属Ｋ对Ｉｎ有置换反应发生，使Ｉｎ偏析到ＩｎＰ（１００）的表面．ＩｎＰ（１００）表面的Ｋ吸附层引起了能带弯曲．能带弯曲的值为０．７５ｅＶ．偏析到ＩｎＰ（１００）表面的Ｉｎ的悬挂键空态被来自于碱金属Ｋ的外层电子所填充，形成一个半满的表面态．正是这个半满的表面态是引起能带弯曲和Ｆｅｒｍｉ能级钉扎。
- 季航赵特秀徐彭寿王晓平吴建新陆尔东许振嘉
- 关键词：钾磷化铟光电子能谱
- K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究被引量：2
- 1995年
- 利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ对Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的催化氧化反应过程．对于Ｏ２／Ｋ／ＩｎＰ（１００）体系的Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ和价带光电子能谱研究可知，在氧吸附的过程中，Ｏ和Ｐ、Ｉｎ之间发生了化学反应，Ｏ更易于与Ｋ在吸附过程中与ＩｎＰ（１００）衬底之间的界面反应形成的Ｋ－Ｐ化合物中的Ｐ健合．碱金属Ｋ的存在并不直接和Ｏ发生作用，而是起到一种催化剂的作用，增加了电荷向氧传输的能力．使得Ｏ２的分解和吸附变得更加容易．在Ｉｎ４ｄ芯能谱中，Ｉｎ－Ｏ之间的反应并不是很明显，而在价带谱中则可以明显地看到Ｉｎ－Ｏ之间反应所形成的Ｉｎ氧化物的发射峰，因此对于研究由于碱金属引起的半导体表面的催化氧化过程，价带谱要比芯能级谱具有更丰富的信息和灵敏度．由于碱金属的存在增强了电荷向Ｏ的传输能力，使得在不大的氧暴露量下就可以形成ＩｎＰ的氧化物薄层，这对于器件技术无疑是很有意义的．
- 季航赵特秀王晓平吴建新徐彭寿陆尔东许振嘉
- 关键词：磷化铟钾催化氧化反应光电子能谱
- 由电阻率的准静态测量研究薄膜晶粒的生长动力学被引量：2
- 1993年
- 提出一种用薄膜电阻率的准静态测量来进行薄膜晶粒生长动力学研究的方法。在超高真空系统中用直流溅射制备Pd膜,然后测量不同温度下Pd膜电阻率与退火时间的关系。利用二流体模型推算出对应晶粒尺寸大小的变化,并和TEM结果进行比较。在此基础上进一步分析了退火温度对薄膜中晶粒尺寸变化所起的作用,拟合出晶粒的生长曲线。实验结果表明晶粒长大是一种热激活生长过程,激活能约为0.53eV。
- 王晓平赵特秀季航董翊卞波
- 关键词：电阻率晶粒长大
