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董志华

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇二维电子
  • 10篇二维电子气
  • 10篇半导体
  • 8篇氮化
  • 8篇氮化物
  • 8篇电流崩塌
  • 8篇电流崩塌效应
  • 8篇介质层
  • 8篇化物
  • 8篇半导体表面
  • 6篇HEMT器件
  • 3篇击穿电压
  • 3篇衬底
  • 2篇导体
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇电子器件
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇异质结
  • 2篇载流子
  • 2篇漂移区

机构

  • 14篇中国科学院

作者

  • 14篇董志华
  • 14篇张宝顺
  • 12篇王越
  • 12篇于国浩
  • 12篇蔡勇
  • 4篇曾春红
  • 2篇孙玉华
  • 1篇侯克玉
  • 1篇曾中明
  • 1篇赵德胜
  • 1篇顾国栋

传媒

  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，绝缘介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半导体形...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，绝缘介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半导体形...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
文献传递
AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析
AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在导通电阻增加的现象.目前可以有效降低动态导通电阻的方法有:场板结构和AlN介质层等.本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件,...
于国浩蔡勇王越赵德胜曾春红侯克玉董志华张宝顺
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓动态电阻
文献传递
一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法
本发明公开了一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法。所述器件结构包括设置在衬底上的器件结构层，以及与所述器件结构层配合的源极、漏极和栅极，并且所述器件结构层上还形成有与所述栅极配合的凹槽；其中，所述凹槽包括第一部分和...
刘辉曾春红董志华张宝顺孙玉华崔奇
Ⅲ族氮化物MISHEMT器件
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、第二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
文献传递
Ⅲ族氮化物HEMT器件
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，绝缘介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
半导体电子器件
一种半导体电子器件，包括分布在衬底上的异质结结构和导电电极，所述导电电极包括源、漏、栅极，其中异质结结构主要由上、下层异质材料组成，上、下层异质材料界面处形成有量子阱限定的二维电子气，并且该半导体电子器件采用台面隔离结构...
王越蔡勇于国浩董志华张宝顺
文献传递
Ⅲ族氮化物MISHEMT器件
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、第二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
提高ALGAN/GAN HEMT关态击穿电压的纳米沟道阵列结构
本文提出了一种提高ALGAN/GAN HEMT的击穿电压的结构,即纳米沟道阵列.在栅漏间距为LM的情况下,含有纳米沟道阵列结构的器件的关态击穿电压达到105V,而无此结构的常规器件的击穿电压为54.5V.通过计算,纳米沟...
顾国栋蔡勇冯志红王越于国浩董志华曾春红张宝顺
关键词：GAN高电子迁移率晶体管击穿电压
文献传递网络资源链接
Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件
一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、二半导体，第一半导体设于源、漏电极之间，第二半导体形成于第...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
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