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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇亚微米
  • 2篇深亚微米
  • 2篇微米
  • 2篇集成电路
  • 1篇导电
  • 1篇导电机理
  • 1篇导电胶
  • 1篇电子组装
  • 1篇电阻
  • 1篇载流子
  • 1篇噪声
  • 1篇深亚微米CM...
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子效应
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子组装
  • 1篇接触电阻
  • 1篇静电保护
  • 1篇抗热

机构

  • 3篇西安电子科技...
  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 3篇陈曦
  • 2篇胡净
  • 2篇庄奕琪
  • 1篇罗宏伟
  • 1篇韩孝勇
  • 1篇顾瑛
  • 1篇陈党辉
  • 1篇杜磊

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
国外微电子组装用导电胶的研究进展被引量:34
2002年
介绍导电胶的组成、分类、较之于传统共晶锡铅焊料的优点以及导电胶的研究现状。重点阐述国外在导电胶导电机理研究、可靠性研究及新型高性能导电胶研制方面的现状和进展。
陈党辉顾瑛陈曦
关键词:微电子导电胶导电机理可靠性接触电阻
深亚微米CMOS集成电路抗热载流子效应设计被引量:3
2003年
 热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电,以及电迁移等失效机理,已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁。其中,热载流子效应是最主要的失效机理之一。影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研究,提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则。
陈曦庄奕琪杜磊胡净
关键词:深亚微米CMOS集成电路热载流子效应
深亚微米CMOS IC抗噪声ESD保护电路的设计被引量:1
2003年
 CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段,电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计。文章提出了一种新型的ESD保护电路,以LVTSCR结构为基础,结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术。这种新型电路即使被意外触发也不会引起闩锁效应,提高了ESD保护电路的可靠性,实现了全芯片保护。
陈曦庄奕琪罗宏伟胡净韩孝勇
关键词:深亚微米CMOS噪声ESD保护电路静电保护集成电路
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