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陈玖香

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:北京印刷学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇微晶硅
  • 2篇微晶硅薄膜
  • 2篇硅薄膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体参数
  • 1篇电感耦合
  • 1篇阴极
  • 1篇阴极沉积
  • 1篇柔性衬底
  • 1篇气相沉积
  • 1篇氢化微晶硅薄...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇感应耦合
  • 1篇沉积速率
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底材料

机构

  • 2篇北京印刷学院
  • 1篇明志科技大学

作者

  • 2篇陈玖香
  • 2篇陈强
  • 1篇张受业
  • 1篇施继龙
  • 1篇程志贤
  • 1篇葛腾

传媒

  • 1篇真空
  • 1篇北京印刷学院...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
衬底材料对空心阴极沉积氢化微晶硅薄膜的影响
2014年
本文中,我们采用空心阴极等离子体增强化学气相沉积(MHC-PECVD)在玻璃、表面溅射氧化铟锡(ITO)的玻璃(玻璃+ITO)以及表面溅射ITO的聚酰亚胺(PI+ITO)柔性衬底上沉积氢化微晶硅(μc-Si:H),研究不同衬底材料对微晶硅薄膜性质的影响。我们发现在 PI+ITO衬底上沉积薄膜的结晶率(Xc)最小,且结晶率最大值时的温度依赖沉底材料:对于 PI+ITO 衬底来说,结晶率最大值时的温度为200℃,而对于玻璃和玻璃+ITO 衬底来说,这个温度会在250℃-300℃之间浮动。我们认为PI+ITO衬底上薄膜较低的结晶率与其较高的热膨胀系数(CTE)以及小分子和气体的释放有关。
葛腾陈玖香张受业施继龙陈强
关键词:微晶硅柔性衬底
感应耦合化学气相沉积高速制备微晶硅薄膜
2013年
采用新型内置低感应天线电感耦合化学气相沉积系统沉积P型微晶硅薄膜,使用郎缪尔探针对等离子体参数进行诊断。研究发现离子密度(Ni)可以达到1011-1012cm-3,而电子温度(Te)约在2eV,且随着功率的增大略有下降。P型微晶硅薄膜沉积在玻璃衬底上,研究了功率和气压对其结构和性能的影响。通过在一定SiH4∶B2H6∶H2流量比例下优化工艺参数,结果能在高沉积速率1nm/s的条件下制备高品质微晶硅薄膜。
陈玖香王伟仲程志贤陈强
关键词:等离子体参数微晶硅薄膜沉积速率
共1页<1>
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