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程志贤

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：明志科技大学更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体参数
  • 1篇电感耦合
  • 1篇气相沉积
  • 1篇微晶硅
  • 1篇微晶硅薄膜
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇感应耦合
  • 1篇沉积速率

机构

  • 1篇北京印刷学院
  • 1篇明志科技大学

作者

  • 1篇陈玖香
  • 1篇陈强
  • 1篇程志贤

传媒

  • 1篇北京印刷学院...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
感应耦合化学气相沉积高速制备微晶硅薄膜
2013年
采用新型内置低感应天线电感耦合化学气相沉积系统沉积P型微晶硅薄膜,使用郎缪尔探针对等离子体参数进行诊断。研究发现离子密度(Ni)可以达到1011-1012cm-3,而电子温度(Te)约在2eV,且随着功率的增大略有下降。P型微晶硅薄膜沉积在玻璃衬底上,研究了功率和气压对其结构和性能的影响。通过在一定SiH4∶B2H6∶H2流量比例下优化工艺参数,结果能在高沉积速率1nm/s的条件下制备高品质微晶硅薄膜。
陈玖香王伟仲程志贤陈强
关键词：等离子体参数微晶硅薄膜沉积速率
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