唐瑜
- 作品数：11 被引量：13H指数：2
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 等离子体对90nm工艺MOS器件的损伤被引量：1
- 2007年
- 研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大,并从通孔刻蚀工艺过程中解释其原因.
- 唐瑜郝跃孟志琴马晓华
- 关键词：等离子体损伤天线结构通孔
- 超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性被引量：6
- 2007年
- 对1.4nm超薄栅LDDnMOSFET器件栅致漏极泄漏GIDL(gate-induced drainleakage)应力下的阈值电压退化进行了研究.GIDL应力中热空穴注进LDD区界面处并产生界面态,这导致器件的阈值电压变大.相同栅漏电压VDG下的不同GIDL应力后阈值电压退化量的对数与应力VD/VDG的比值成正比.漏偏压VD不变的不同GIDL应力后阈值电压退化随着应力中栅电压的增大而增大,相同栅偏压VG下的不同GIDL应力后阈值电压退化也随着应力中漏电压的增大而增大,这两种应力情形下退化量在半对数坐标下与应力中变化的电压的倒数成线性关系,它们退化斜率的绝对值分别为0.76和13.5.实验发现器件退化随着应力过程中的漏电压变化远大于随着应力过程中栅电压的变化.
- 陈海峰郝跃马晓华唐瑜孟志琴曹艳荣周鹏举
- 关键词：CMOS阈值电压
- 基于3D卷积和多级语义信息融合的行为识别方法及系统
- 本发明公开了一种基于3D卷积和多级语义信息融合的行为识别方法及系统，通过3D卷积网络提取视频帧序列的时空特征；为了防止在3D卷积过程中丢失某些对识别出行为类别极为关键的时间语义信息，使用多级语义信息融合模块来聚集3D卷积...
- 刘芳唐瑜李玲玲杨苗苗李鹏芳李硕郭雨薇黄欣研
- 文献传递
- 等离子体工艺对MOS器件的损伤研究
- 为了提高电路的速度和缩小电路耗散功率，半导体器件的尺寸不断的缩小，减小尺寸通常要依靠刻蚀技术来实现。等离子刻蚀是目前VLSI中最常用的方法。由于等离子体工艺的优点，在集成电路制造中而被广泛的采用，例如等离子体刻蚀、PEC...
- 唐瑜
- 关键词：MOS器件集成电路等离子体损伤
- 文献传递
- 深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应被引量：4
- 2007年
- 选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.
- 孟志琴郝跃唐瑜马晓华朱志炜李永坤
- 关键词：X射线总剂量效应
- 基于关键帧序列和行为信息的两阶段行为识别方法及系统
- 本发明公开了一种基于关键帧序列和行为信息的两阶段行为识别方法及系统，通过计算视频帧的稀疏表示结果之间的相似度，筛选掉相似的相邻帧，获得关键帧序列；使用行为类别标签的行为信息计算类别之间的相似度，并将所有的行为类别划分为若...
- 刘芳李玲玲唐瑜焦李成陈璞华郭雨薇刘旭古晶
- 等离子体工艺对MOS器件的损伤
- 目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入超深亚微米工艺时代。随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流。等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能...
- 唐瑜孟志琴
- 关键词：等离子体损伤可靠性MOS器件
- 文献传递
- 90nm～65nm MOSFET总剂量效应的ISE仿真研究
- 本文利用ISETCAD仿真软件,对90nm nMOSFET和pMOSFET的辐照总剂量效应进行仿真.从关态电流、阈值电压、跨导和亚阈斜率的变化来分析总剂量效应对90nm器件的影响.并分析了不同的剂量率下器件性能的变化,进...
- 孟志琴唐瑜曹艳荣李永坤
- 关键词：总剂量效应
- 文献传递
- 基于3D卷积和多级语义信息融合的行为识别方法及系统
- 本发明公开了一种基于3D卷积和多级语义信息融合的行为识别方法及系统，通过3D卷积网络提取视频帧序列的时空特征；为了防止在3D卷积过程中丢失某些对识别出行为类别极为关键的时间语义信息，使用多级语义信息融合模块来聚集3D卷积...
- 刘芳唐瑜李玲玲杨苗苗李鹏芳李硕郭雨薇黄欣研
- 基于关键帧序列和行为信息的两阶段行为识别方法及系统
- 本发明公开了一种基于关键帧序列和行为信息的两阶段行为识别方法及系统，通过计算视频帧的稀疏表示结果之间的相似度，筛选掉相似的相邻帧，获得关键帧序列；使用行为类别标签的行为信息计算类别之间的相似度，并将所有的行为类别划分为若...
- 刘芳李玲玲唐瑜焦李成陈璞华郭雨薇刘旭古晶
- 文献传递
