孟志琴
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学建筑科学自动化与计算机技术更多>>
- 深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应被引量：4
- 2007年
- 选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.
- 孟志琴郝跃唐瑜马晓华朱志炜李永坤
- 关键词：X射线总剂量效应
- 空间张拉式环肋天线几何-预张力设计方法及软件
- 空间环肋天线是一种典型的索网-桁架天线,为兼顾天线大口径、小收拢体积与高精度的发展需求,桁架由一系列细长杆组成,用于支撑索网结构,其中,细长杆具有高拉压刚度,但是弯曲刚度非常小。当杆受弯时,桁架会发生变形,这导致索网形面...
- 孟志琴
- 关键词：赋形反射面
- 文献传递
- 等离子体对90nm工艺MOS器件的损伤被引量：1
- 2007年
- 研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大,并从通孔刻蚀工艺过程中解释其原因.
- 唐瑜郝跃孟志琴马晓华
- 关键词：等离子体损伤天线结构通孔
- 超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性被引量：6
- 2007年
- 对1.4nm超薄栅LDDnMOSFET器件栅致漏极泄漏GIDL(gate-induced drainleakage)应力下的阈值电压退化进行了研究.GIDL应力中热空穴注进LDD区界面处并产生界面态,这导致器件的阈值电压变大.相同栅漏电压VDG下的不同GIDL应力后阈值电压退化量的对数与应力VD/VDG的比值成正比.漏偏压VD不变的不同GIDL应力后阈值电压退化随着应力中栅电压的增大而增大,相同栅偏压VG下的不同GIDL应力后阈值电压退化也随着应力中漏电压的增大而增大,这两种应力情形下退化量在半对数坐标下与应力中变化的电压的倒数成线性关系,它们退化斜率的绝对值分别为0.76和13.5.实验发现器件退化随着应力过程中的漏电压变化远大于随着应力过程中栅电压的变化.
- 陈海峰郝跃马晓华唐瑜孟志琴曹艳荣周鹏举
- 关键词：CMOS阈值电压
- 深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应研究
- 随着数字集成电路的广泛应用，金属—氧化物—半导体场效应（MOSFET）器件和MOS集成电路在军事，航天，核技术等特殊环境下的应用越来越多，其可靠性要求也越来越高。而在辐射的环境中，MOS结构器件上所加偏置条件是影响总剂量...
- 孟志琴
- 关键词：MOS集成电路MOSFET器件电离辐射效应总剂量效应
- 文献传递
- 等离子体工艺对MOS器件的损伤
- 目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入超深亚微米工艺时代。随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流。等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能...
- 唐瑜孟志琴
- 关键词：等离子体损伤可靠性MOS器件
- 文献传递
- 90nm～65nm MOSFET总剂量效应的ISE仿真研究
- 本文利用ISETCAD仿真软件,对90nm nMOSFET和pMOSFET的辐照总剂量效应进行仿真.从关态电流、阈值电压、跨导和亚阈斜率的变化来分析总剂量效应对90nm器件的影响.并分析了不同的剂量率下器件性能的变化,进...
- 孟志琴唐瑜曹艳荣李永坤
- 关键词：总剂量效应
- 文献传递
