孙瑞泽
- 作品数：69 被引量：7H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程兵器科学与技术更多>>
- 一种基于GaN功率器件的高压脉冲产生电路
- 本发明属于高压脉冲技术领域，涉及一种基于GaN功率器件的高压脉冲产生电路。本发明的电路包括Marx高压生成电路和GaN功率半导体开关的栅极自触发电路，特点第1个半导体开关由驱动电路导通后，第1个储能电容开始放电，第1个储...
- 孙瑞泽潘慈王小明陈万军张波
- 一种具有超结的逆导型IGBT
- 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有超结的逆导型IGBT。相对于传统的超结逆导型IGBT，本发明将集电极区中的一部分的P+集电极区用N+集电区替换，并且用P型条以及介质隔离层将N型漂移区分为两个不相连的N型漂移区区...
- 郑崇芝夏云谯彬李青岭孙瑞泽刘超施宜军信亚杰王方洲陈万军
- 文献传递
- 一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明包括从下至上设置的：衬底、成核层、缓冲层、势垒层，介质层，缓冲层和势垒层形成异质结结构，在材料极化效应下形成二维电子气沟道，势垒层上设有至少...
- 孙瑞泽罗攀王方洲刘超陈万军
- 一种具有自适应低电阻率欧姆接触的GaN HEMT器件
- 本发明提出了一种具有自适应低电阻率欧姆接触的GaN HEMT器件，包括：采用干法刻蚀形成由多个平面构成的阶梯结构；在欧姆电极区域生长欧姆接触金属并将所形成的阶梯结构完全覆盖；通过快速热退火处理生成低阻导电通道进而形成欧姆...
- 陈万军罗攀王方洲王茁成孙瑞泽
- 一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化
- 2014年
- 传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(di/dt)较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。
- 孙瑞泽陈万军彭朝飞阮建新张波
- 关键词：电流上升率脉冲放电
- 一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT
- 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT。本发明中漏极区域P型GaN层呈台阶状，沿漏极向源级方向呈台阶式减薄。在台阶式P型GaN漏极结构中，各个P型GaN台阶沿漏极到源级方向呈台...
- 孙瑞泽王茁成罗攀王方洲刘超陈万军
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- 一种GaN基HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是在器件的缓冲层中引入了与源极相连的具有P型掺杂的电荷存储层。在器件关断时，P型掺杂的电荷存储层中的净负电荷可以有效地加速二维电子气的耗尽，...
- 陈万军王方洲许晓锐孙瑞泽信亚杰夏云刘超张波
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- 一种集成反向PIN管的MOS场控晶闸管及其制备方法
- 本发明涉及半导体技术，具体说的是涉及一种通过消除反向过冲电压来提升器件可靠性的MOS场控晶闸管。本发明的MOS场控晶闸管，在P型基区(5)上层设置有P型源区(1)，P型源区(1)与N型基区(4)连接并位于N型基区(4)远...
- 陈万军杨骋肖琨孙瑞泽张波
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- 基于新型绝缘栅触发晶闸管的高功率准矩形脉冲源
- 2021年
- 提出了一种基于新型绝缘栅触发晶闸管(Insulated Gate Trigger Thyristor,IGTT)的高功率准矩形脉冲源。采用IGTT作为开关器件,实现了形成准矩形脉冲波所需的极低开关器件电阻,其导通电阻低、开启速度快的优点,使其非常好地满足了准矩形脉冲波对高峰值电流(IP)和电流上升率(di/dt)的需求。实验结果表明,相较于常规绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT),基于IGTT的准矩形脉冲源峰值电流提升了50%、di/dt提升了400%,且具有更好的矩形波平顶特性。在工作电压U_(0)=1200 V下,准矩形脉冲源产生了脉冲前沿约为350 ns、平顶宽度为3.05μs、峰值电流为3.7 kA、前沿di/dt=11.2 kA/μs、平顶纹波系数(ζ)仅为2.3%的准矩形脉冲电流,实现了优异的准矩形脉冲特性,为新一代全固态、紧凑型、小型化准矩形脉冲源设计提供了一种具有前景的解决方案。
- 陈楠陈万军尚建蓉刘超李青岭孙瑞泽李肇基张波
- 关键词：脉冲功率电流上升率
- 一种低导通电阻高跨导的p-GaN HEMT器件
- 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，涉及一种低导通电阻高跨导的p‑GaNHEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明的器件buffer层为p型掺杂的缓冲层。由于缓冲层存在自由移动的空穴，2DEG沟道与...
- 郑崇芝信亚杰段力冬王方洲孙瑞泽张波
- 文献传递
