陈万军
- 作品数：237 被引量：9H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 氮化镓MIS栅控混合沟道功率场效应晶体管及其制造方法
- 本发明设计涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓MIS栅控混合沟道功率场效应晶体管以及其制造方法。本发明采用了利用平面二位电子平面道以及准垂直U形氮化镓体材料沟道结合成的混合沟道技术，分别利用二维电子气的快速开关特性以...
- 周琦杨秀黄芃魏鹏程陈匡黎李翔宇王景海韩晓琦陈万军张波
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- 一种GaN基HEMT器件
- 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是在器件的缓冲层中引入了与源极相连的具有P型掺杂的电荷存储层。在器件关断时，P型掺杂的电荷存储层中的净负电荷可以有效地加速二维电子气的耗尽，...
- 陈万军王方洲许晓锐孙瑞泽信亚杰夏云刘超张波
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- 一种逆导型IGBT及其制造方法
- 本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导型IGBT及其制造方法。本发明中的一种RC‑IGBT，主要是通过在常规RC‑IGBT器件的P型集电极区上方增加了低掺杂的N型层，增大了P型集电极区上方的电阻，从而减小器...
- 陈万军汪淳朋肖紫嫣刘超张波
- 一种新型的GaN基ESD防护电路
- 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种GaN基ESD防护电路。与常规的由二极管组组成的ESD防护电路不同的是，本发明基于增强型p‑GaN HEMT器件，GaN基触发二极管组，限流电阻组成ESD防护电路...
- 陈万军王园段力冬信亚杰张波
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- 高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT被引量：3
- 2019年
- 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^(11) cm^(-2))。
- 李茂林陈万军王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波
- 关键词：阈值电压界面态
- 一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管被引量：3
- 2019年
- 门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。
- 高吴昊陈万军刘超陶宏夏云谯彬施宜军邓小川李肇基张波
- 关键词：4H-SIC缓冲层脉冲功率
- 具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管
- 本发明提供的一种具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管，它是在现有的功率双极型晶体管的基区5局部重掺杂形成重掺杂基区9，所述的重掺杂基区9的掺杂类型与基区5的掺杂类型相同(指同为p型或同为n型)，其浓度大于基区5的掺杂浓度；...
- 张波陈万军易坤陈林李肇基
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- 一种槽栅双极型晶体管
- 本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案是在常规的CSTBT载流子储存层中插入数个贯穿载流子存储层的掺杂浓度较高的P型条。与常规CSTBT相比，插入的P型条能对槽栅边缘附近的电场进...
- 陈万军刘超娄伦飞唐血锋程武古云飞张波
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- 栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响被引量：4
- 2019年
- 基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响。在栅槽刻蚀方面,采用了一种感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术与高温热氧化湿法刻蚀技术相结合的两步法刻蚀技术,将AlGaN势垒层全部刻蚀掉,制备出了阈值电压超过3 V的增强型Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMT器件。相比于传统的ICP干法刻蚀技术,两步法是一种低损伤的自停止刻蚀技术,易于控制且具有高度可重复性,能够获得更高质量的刻蚀界面,所制备的器件增强型GaN MIS-HEMT器件具有阈值电压回滞小、电流开关比(I_(ON)/I_(OFF))高、栅极泄漏电流小、击穿电压高等特性。
- 崔兴涛陈万军施宜军信亚杰李茂林王方洲周琦李肇基张波
- 关键词：增强型刻蚀技术
- 一种集成肖特基二极管的MOS栅控晶闸管及其制备方法
- 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种集成肖特基二极管的MOS栅控晶闸管。本发明通过将器件阴极设计为肖特基接触，从而在P阱区和阴极之间形成一个肖特基二极管，其中P<Sup>+</Sup>区会加快关断时载流子的抽取，但...
- 陈万军左慧玲刘超夏云高吴昊邓操
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