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周琦

作品数：82 被引量：17H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 73篇专利
  • 5篇学位论文
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程

主题

  • 18篇二极管
  • 16篇电路
  • 15篇氮化镓
  • 15篇晶体管
  • 14篇肖特基
  • 14篇场效应
  • 13篇势垒
  • 11篇二维电子
  • 11篇二维电子气
  • 11篇半导体
  • 10篇导通
  • 10篇场效应管
  • 9篇电阻
  • 9篇异质结
  • 9篇开启电压
  • 8篇势垒层
  • 8篇集成电路
  • 8篇功率器件
  • 8篇反向漏电
  • 7篇单片集成

机构

  • 82篇电子科技大学
  • 6篇电子科技大学...

作者

  • 82篇周琦
  • 62篇张波
  • 40篇陈万军
  • 12篇刘超
  • 12篇施媛媛
  • 9篇王泽恒
  • 9篇张安邦
  • 7篇刘丽
  • 7篇刘杰
  • 6篇李佳
  • 5篇周春华
  • 5篇汪玲
  • 5篇刘熙
  • 5篇邓超
  • 5篇熊琦
  • 5篇鲍旭
  • 5篇陈博文
  • 5篇明鑫
  • 4篇李靖
  • 4篇吴桐

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 7篇2023
  • 10篇2022
  • 11篇2021
  • 10篇2020
  • 7篇2019
  • 8篇2018
  • 11篇2017
  • 6篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
共 82 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种GaN器件动态导通电阻测量电路
本发明属于电子电路技术领域，涉及一种GaN器件动态导通电阻测量电路。本发明从GaN应用中所紧密相关的动态特性出发，测试电路包括驱动电路、软硬开关转换电路以及钳位电路；驱动电路以ADuM4224为核心；开关转换电路包括两个...
周琦刘熙叶星宁陈涛李佳张波
文献传递
一种半桥电路直通保护电路
本发明公开了一种半桥电路直通保护电路，通过增强型GaN功率晶体管和GaN基二极管实现全GaN集成的基本数字逻辑单元电路，即与非门子电路和或非门子电路的设计，进而通过与非门子电路和或非门子电路实现全GaN集成的半桥电路直通...
周琦程前明鑫施媛媛韩晓琦马骁勇张宣张波
文献传递
一种氮化镓3D-RESURF场效应晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓3D‑RESURF场效应晶体管及其制备方法。本发明在传统氮化镓HEMT器件中通过刻槽并二次外延的方式引入P型氮化镓电场调制区。在漂移区处形成P型氮化镓—二维电子气构成的p‑n...
周琦李翔宇黄芃陈匡黎王景海韩晓琦张波
文献传递
一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法
一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法，属于材料技术领域，涉及材料表面处理工艺和半导体器件制备工艺。本发明提出一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法，将干法刻蚀后的Ⅲ族氮化物半导体材料浸没在浓度为1％...
周琦鲍旭汪玲牟靖宇施媛媛章晋汉靳旸陈万军张波
文献传递
银川医保药店信息管理系统的设计与实现
银川医保药店信息管理系统设计完成于2000年，采用SQLServer、Oracle等数据库和C/S技术开发，虽然中间做过比较大的升级，但体系架构，所使用的技术没有做大的改变，所有的药店系统都是相对独立的系统，采用传统的报...
周琦
关键词：信息管理系统数据整合服务器
一种GaN异质结纵向场效应管
本发明涉及半导体器件技术领域，涉及一种GaN异质结纵向场效应管。本发明采用纵向分立栅结构，将肖特基源极淀积在栅极之间，形成逆导二极管的阳极。通过引入P型基区形成的背势垒和凹槽栅共同作用耗尽栅下方沟道处的二维电子气(2DE...
周琦朱若璞陈万军张波
文献传递
GaN功率器件栅驱动电路技术综述被引量：11
2020年
第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转换效率,特别适合电源模块小型化发展趋势。介绍了200 V以下低压GaN驱动电路的应用和关键技术。分析了从低压系统拓展到400 V以上高压系统时需要作出的优化与改进。详细介绍了高压GaN系统中基于无磁芯变压器耦合隔离的隔离驱动技术和耗尽型GaN负压栅驱动技术。最后,总结了目前高压GaN驱动电路在工业领域的具体应用。
冯旭东胡黎张宣明鑫周琦张波
一种具有垂直复合钝化结构的GaN HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有垂直复合钝化结构的GaN HEMT器件。本发明中带有(源)场板的GaN HEMT功率晶体管具有双层垂直复合钝化结构，利用具有高热导率的第一层介质材料和high k的第二层介质材料作为...
周琦杨文星李明哲韩阳李竞研吴桐张波
一种基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电路
本文涉及一种基于Ⅲ族氮化物的静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一限流电阻和第二限流电阻。所述的二极管为N个二极管串联，其一个二极管的阳极电连接到另一个二极管的阴极...
周琦邓超周春华王凯弟熊琦王守一党其亮张波
一种横向恒流二极管
本发明属于半导体技术领域，涉及一种横向恒流二极管(CRD)。本发明克服了传统的硅基CRD器件恒定电流与击穿电压强烈的矛盾关系，利用GaN材料高耐压的优良特性，在该型AlGaN/GaN CRDs器件在实现较大恒定电流的同时...
陈万军张安邦信亚杰施宜军胡官昊刘杰周琦张波
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