左则文
- 作品数:6 被引量:4H指数:1
- 供职机构:南京大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征被引量:4
- 2008年
- 本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法研究了生长条件参数对薄膜结构及生长速率的影响,对薄膜的生长机制进行了讨论,特别分析了孵化层形成和演化、以及对晶化率、柱状晶粒生长的作用特征.实验测量分析表明,在薄膜生长的初期阶段,形成一个嵌入大量小晶粒的非晶孵化层,并随着薄膜厚度的增加其非晶成份减少,晶化率不断提高,晶粒开始长大并结聚成团,形成大的晶粒,沿生长方向上形成横向尺寸为百纳米级的柱状晶粒.红外透射谱的结果证实2 100 cm-1附近吸收来源于位于晶界区或微孔内表面团簇化的SiH键的吸收.同时,适当的等离子能量在薄膜生长过程中有利于抑制氧的影响.目前的研究加深了对薄膜PECVD生长过程和生长机制的理解,有利于加强对太阳电池用的硅薄膜形态和质量的控制.
- 左则文闾锦管文田濮林施毅郑有炓
- 关键词:等离子体化学气相沉积微结构晶化率
- 快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法
- 本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔,反应气体或与载气由气源导入喷管,喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝,在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈,沉积腔内设生长薄膜的衬底平台,沉...
- 施毅左则文辛煜濮林王军转张荣韩平谢自立顾书林郑有炓
- 文献传递
- 喷射型电感耦合等离子体化学气相沉积法制备的微晶硅薄膜孵化层的演化
- 氢化微晶硅薄膜由于在薄膜太阳电池中的应用潜力而受到人们的普遍关注。但是传统的化学气相沉积等方法制各的微晶硅薄膜存在一些不足:如薄膜生长速率较低;而且沿薄膜生长方向存在较为严重的结构不均匀性,尤其是当薄膜沉积在非晶衬底上时...
- 左则文管文田辛煜闾锦王军转濮林张荣郑有炓施毅
- 关键词:电感耦合化学气相沉积微晶硅薄膜薄膜生长
- 文献传递
- 快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法
- 本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔,反应气体或与载气由气源导入喷管,喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝,在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈,沉积腔内设生长薄膜的衬底平台,沉...
- 施毅左则文辛煜濮林王军转张荣韩平谢自立顾书林郑有炓
- 文献传递
- 微晶硅薄膜高速沉积、界面控制及太阳电池应用
- 微晶硅薄膜与非晶硅薄膜相比,有希望在太阳电池应用中提供更好稳定性和转化效率。微晶硅薄膜的间接带隙特性使得它的吸收系数比较低,对于太阳电池的应用希望尽可能充分地吸收利用太阳光,这就需要足够厚的本征吸收层(一般要求在1-3μ...
- 左则文
- 关键词:太阳电池
- 文献传递
- 掺铒Si/Al2O3多层结构中结晶形态对1.54μm发光的影响
- 2009年
- 利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600—1000℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er3+在1.54μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600—700℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er3+发光的化学环境得到了优化.进一步,光致发光瞬态衰减谱研究表明,当纳米Si尺寸小时,衰减遵循单指数模式(慢过程),当纳米Si尺寸大时,衰减遵循双指数模式(快过程和慢过程),其中衰减中快过程来自类体Si的对激发态Er3+去激发过程,慢过程对应典型的纳米Si体系衰减过程.
- 王军转石卓琼娄昊楠章新栾左则文濮林马恩张荣郑有炓陆昉施毅
- 关键词:铒纳米硅