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张雄文

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶体管
  • 2篇SEM分析
  • 2篇GAAS_M...
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 2篇衬底
  • 1篇电性能
  • 1篇异质结
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓微波功...
  • 1篇生长环境
  • 1篇通孔
  • 1篇截止频率
  • 1篇拉曼
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 2篇河北工业大学

作者

  • 4篇张雄文
  • 2篇刘立浩
  • 2篇周瑞
  • 2篇杨瑞霞
  • 2篇何泽召
  • 2篇王同祥
  • 2篇冯志红
  • 1篇蔡树军
  • 1篇邢东
  • 1篇敦少博
  • 1篇李佳
  • 1篇刘庆彬
  • 1篇尹甲运
  • 1篇房玉龙
  • 1篇蔚翠
  • 1篇盛百城
  • 1篇刘波
  • 1篇韩婷婷

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2002
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
2002年
刘立浩杨瑞霞王同祥张雄文周瑞
关键词：SEMGAASMMIC扫描电镜砷化镓微波功率场效应晶体管
生长环境对SiC衬底上外延石墨烯的电性能影响研究
使用SiC热分解法,在Si面SiC(0001)衬底上制备了1-2层外延石墨烯材料。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜、微区拉曼光谱、变温Hall测试仪(90K-500K)等研究了高真空和Ar惰性气氛下生长的外延石墨烯的形貌...
蔚翠李佳刘庆彬何泽召张雄文冯志红蔡树军
关键词：SIC迁移率拉曼
文献传递
使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
刘立浩杨瑞霞王同祥张雄文周瑞
文献传递
蓝宝石衬底上高性能InAlN/GaN异质结及场效应晶体管研究
使用金属有机物气相外延方法,在蓝宝石(0001)衬底上生长高性能InAlN/GaN异质结并制备了异质结场效应晶体管.利用原子力显微镜和Hall 测试等方法研究了InAlN/GaN异质结材料特性.研究表明材料表面原子台阶平...
房玉龙冯志红敦少博尹甲运刘波盛百城何泽召韩婷婷张雄文邢东
关键词：HFET迁移率蓝宝石截止频率
文献传递
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