李一博
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 共同配送下无人车编组与调度协同优化问题研究
- 李一博
- 表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响
- 2008年
- 通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器件正向压降的变化趋势,发现理论结果与实验结果有很好的吻合.同时得到了获得最低正向压降的表面InGaN厚度.
- 顾晓玲郭霞吴迪李一博沈光地
- 关键词：极化
- 基于Au/Au直接键合的高亮度ODRLED被引量：4
- 2009年
- 提出利用Au/Au直接键合制作高亮度全方位反光镜(ODR)LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底,氧化铟锡(ITO)做窗口层和缓冲层,在0.35mPa压力,260°C的低温下实现Au/Au固相直接键合。直接键合后,Al-GaInP有源区与Si衬底结合牢固完整,保证了全方位反光镜的性能。在正向电流20mA下,键合ODR结构LED的正向压降是常规吸收衬底LED的80%,光输出功率和流明效率是常规吸收衬底LED的1.5倍和2.1倍。
- 李一博郭霞关宝路揣东旭沈光地
- 关键词：铝镓铟磷硅衬底氧化铟锡直接键合
- 新型薄膜全方位反射发光二极管的设计与研究
- 二十世纪60年代，第一支红光发光二极管(Light Emitting Diode，LED)诞生。在近50年的时间里，半导体光电子产业不断地前进，发展。随着红色，橙色，黄色AlGaInP二极管和蓝色，绿色GaN基二极管的发...
- 李一博
- 关键词：发光二极管直接键合
- 文献传递
