林雅芳
- 作品数：20 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：上海市青年科技启明星计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
- 本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法，属于单晶生长领域。特征在于：初始原料按Sr<Sub>3</Sub>Ga<Sub>2</Sub>Ge<Sub>4</Sub>O<Sub>14</Sub>的分子式均匀混合，在1...
- 徐家跃周娟武安华华王祥林雅芳陆宝亮童健范世
- 文献传递
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3－x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
- 文献传递
- 铁电铌酸钾锂晶体的缺陷研究被引量：2
- 2000年
- 铌酸钾锂 (K3 Li2 -xNb5 +xO15 +2x∶KLN)铁电固溶体晶体被认为是具有良好应用前景的蓝光倍频晶体之一。到目前为止 ,有关相图、晶体生长和性能等方面的工作已经有了大量的研究 ,而关于KLN晶体缺陷研究少见报道。本文研究了KLN晶体的云层、裂纹、畴结构等宏观缺陷以及晶体化学组成的不均匀性。本实验所用KLN晶体是坩埚下降法生长的。尺寸为1 0mm× 2 8mm、浅黄色透明KLN晶体被切割为小圆片并抛光 ,加工好的圆片厚度为 1mm。将KLN圆片在煮沸的氢氟酸或 2HNO3∶HF混合酸中腐蚀 5～ 1 0min ,然后用清水冲洗干净。用光学显微镜观察晶体样品表面的腐蚀形貌 ,放大倍数为 1 0 0或 2 0 0。可以看到正负 ( 0 0 1 )面的腐蚀坑皆为三角锥形 ,但表面粗糙度不同 ,说明正负〈0 0 1〉方向的腐蚀速率不同。云层部分经短时间腐蚀后显示出大量蚀坑 ,同时出现不少垂直于云层的腐蚀坑 ,这可能是应力垂直于云层缺陷释放的缘故。有些腐蚀面可以观察到清晰的 1 80°柱状畴结构。KLN晶体在生长后的冷却过程中很容易开裂。大多数开裂面光滑 ,有明显的解理面特征。经X射线定向仪测定 ,这些解理面为 ( 0 0 1 )面。粗糙的开裂面多为 ( 1 1 0 )面。造成KLN晶体开裂的主要原因是该晶体显著的各向异性生长速率和c、a轴向膨胀系数的明?
- 徐家跃范世林雅芳孙仁英
- 关键词：铌酸钾锂晶体坩埚下降法生长畴结构
- 硼酸铋晶体的坩埚下降法生长工艺
- 本发明涉及一种硼酸铋，BiB<Sub>3</Sub>O<Sub>6</Sub>晶体的坩埚下降法生长工艺，属于单晶生长领域。特征是：以Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和B<Sub>2</Sub>O<S...
- 徐家跃张爱琼丁嘉煊侍敏莉林雅芳钱国兴
- 文献传递
- 石英晶体在Bi_4Si_3O_(12)熔体中析出形态及机理被引量：1
- 1997年
- 石英晶体在Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２熔体中析出形态及机理孙仁英范世吴金娣林雅芳（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＱｕａｒｔｚＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｎｆｒｏｍＭｅｌｔｏｆＢｉ４Ｓｉ３Ｏ１２ＳｕｎＲ...
- 孙仁英吴金娣林雅芳
- 关键词：硅酸铋晶体引上法晶体生长石英晶体
- 硅酸铋(BSO)晶体闪烁性能研究被引量：7
- 1997年
- 报道对ＢＳＯ晶体闪烁性能研究的若干结果。包括晶体的激发光谱和荧光光谱、光产额、发光衰减时间和抗辐照能力等特性。
- 何景棠朱国义陈端保陈端保李祖豪董晓黎范世李祖豪林雅芳卞建国徐家跃
- 关键词：硅酸铋晶体光产额辐照损伤
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3-x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
- 文献传递
- 铌酸钾锂晶体的生长与性能
- 2000年
- 使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ１０ｍｍ×５０ｍｍ、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体，讨论了引起晶体开裂的主要原因，研究了该晶体的光透过性能和介电性能，室温下该晶体的介电常数ε_（３３）＝１２７，ε_（１１）＝３７６，居里温度为３８０℃．
- 徐家跃林雅芳范世
- 关键词：铌酸钾锂晶体坩埚下降法晶体生长激光器
- 弛豫铁电单晶铌锌酸铅－钛酸铅的两步法生长方法
- 本发明涉及一种新型弛豫铁电单晶铌锌酸铅－钛酸铅(PZNT)的两步法生长方法，特征在于：初始原料按(1－x)Pb(Zn<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)O<Sub>3－x</Sub>PbTiO<...
- 徐家跃童健侍敏莉范世林雅芳钱国兴陆宝亮
- 文献传递
- 氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法
- 本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法，属于单晶生长领域。特征是：将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合，装入贵金属坩埚内；将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶...
- 徐家跃李新华申慧钱国兴罗丽庆武安华林雅芳
- 文献传递
