徐家跃
- 作品数：192 被引量：321H指数：10
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
- 本发明涉及一种掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术,属于单晶生长领域。特征是:初始原料按Nd<Sub>x</Sub>Gd<Sub>1－x</Sub>Ca<Sub>4</Sub>O(BO<Sub>3</Sub>)<Sub>...
- 钟真武范世徐家跃罗军孙仁英钱国兴
- 文献传递
- 钙钛矿结构YFe_(1-x)Cr_xO_3纳米晶的制备与磁性能调控
- 2014年
- 以柠檬酸为燃料,采用低温且快速的溶胶凝胶自燃烧法制备了YFe1-xCrxO3(0≤x≤0.2)纳米材料,通过工艺优化,得到了高纯、结晶均匀的纳米晶。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、振动样品强磁计(VSM),系统研究了Cr3+掺杂对YFeO3物相、结构、形貌和磁性的调控作用。结果表明:经过Cr3+掺杂,可以有效降低正交钙钛矿相的合成温度,晶胞参数有一定程度的减小。Cr3+掺杂对YFeO3的磁性具有显著的调控作用,纯相YFeO3表现出铁磁特性,而YFe0.8Cr0.2O3则具有明显的顺磁特性,这与Cr3+较小的磁矩以及掺杂Fe3+造成的结构畸变等密切相关。
- 吴宪君申慧徐家跃
- 关键词：溶胶凝胶
- 工业应用氧化物闪烁晶体的下降法生长(英文)被引量：3
- 2007年
- 闪烁晶体广泛应用于高能物理、核医学成像和辐射探测等领域。工业应用通常要求闪烁晶体具有高性能、大尺寸和低成本等。本文报道了中国科学院上海硅酸盐研究所在锗酸铋、钨酸铅和氧化碲等闪烁晶体工业化生长方面的最新研究进展,讨论了坩埚下降法作为工业晶体生长技术的优缺点。
- 徐家跃叶崇志储耀卿廖晶莹葛增伟范世
- 关键词：下降法锗酸铋钨酸铅氧化碲
- 新型磁光晶体YFeO_3的生长与性能被引量：5
- 2008年
- 近年来钙钛矿结构的YFeO3晶体引起了人们的关注,它在近红外波段有很高的磁光优值和低的饱和磁化强度,并且具有高的居里温度。鉴于其在器件应用上具有一系列的优势,它成为倍受青睐的一种新型磁光材料。本文根据国内外YFeO3晶体的研究概况,重点介绍该晶体的生长和磁光性能。
- 武安华申慧徐家跃储耀卿张爱琼葛增伟
- 关键词：磁光晶体晶体生长磁光性能
- 弛豫铁电单晶PZNT91/9的生长与畴结构研究被引量：2
- 2003年
- 采用熔剂-坩埚下降法生长了91%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-9%PbTiO3(PZNT91/9)(摩尔分数)弛豫铁电单晶,PbO助熔剂摩尔分数控制在50%左右。所得晶体被PbO助熔剂包裹,将其浸泡在热HNO3中1～2天即可除去PbO。晶体呈浅黄色,具有明显的结晶学生长面。晶体沿(001)面切出数片,晶片质量明显好于通气Bridgman法生长的PZNT单晶。偏光显微镜可观察到71°、90°、180°畴或微畴区。晶片极化条件为:垂直于C面施加1kV/mm的电场并保持10～15min。
- 徐家跃范世骥
- 关键词：坩埚下降法晶体生长
- 复合体系铁电晶体生长与畴动力学研究
- 徐家跃金敏申慧吴宪君姚忻侍敏莉
- 新型弛豫铁电晶体是一种具有超高压电/铁电性能的信息功能材料，被誉为铁电领域半个多世纪以来"一次激动人心的突破".与传统压电陶瓷PZT相比，新型弛豫铁电晶体的压电常数是PZT的4-5倍，其机电耦合系数高达95%，应变常数可...
- 关键词：
- 关键词：铁电晶体压电器件信息功能材料
- 镍基单晶高温合金坩埚下降法研究
- 镍基单晶高温合金拥有优异的机械性能和耐高温氧化性能,被广泛的应用于航空发动机涡轮叶片。采用坩埚下降法生长了Φ 30mm x 280mm镍基单晶高温合金。沿晶体生长方向,试样被切成若干圆片,晶体经XRD分析,该合金属于立方...
- 梁肖肖徐家跃
- 关键词：坩埚下降法组织形貌
- 仿祖母绿立方氧化锆晶体研究被引量：5
- 2010年
- 通过对天然祖母绿的光谱分析,设计了以Pr3+、Co3+、Cr3+等为主要掺杂离子的配方,采用冷坩埚技术生长了仿祖母绿立方氧化锆晶体。利用辉光放电质谱和紫外-可见光透过谱分析了仿祖母绿立方氧化锆晶体的成分和光谱学特征,透射光谱中的特征吸收峰来自于这些特定掺杂离子的特定能级跃迁。对比天然祖母绿的光谱特性,提出了进一步改善氧化锆晶体宝石效果的建议。
- 申慧徐家跃展宗贵高孟丽江燕飞张道标何雪梅江国健
- 关键词：祖母绿晶体生长
- Bi_(12)SiO_(20)晶体下降法生长及Pt包裹缺陷研究(英文)被引量：3
- 2004年
- 采用改进的坩埚下降法成功生长了硅酸铋Bi12SiO20(BSO)单晶,探讨了工艺参数对晶体生长的影响.用电子探针方法研究了硅酸铋晶体中的铂金包裹体及其相关缺陷.铂金包裹物的尺寸一般在30μm～5mm之间.包裹物经常导致晶体开裂,使成品率大为降低.铂坩埚中的杂质是导致坩埚受侵蚀的主要原因,通过延长铂坩埚熔炼时间和适当降低晶体生长炉温,可明显减少铂包裹体及其相关缺陷.通过优化生长工艺,获得了尺寸为50mm×35mm×35mm的优质BSO单晶.
- 张爱琼徐家跃范世
- 关键词：坩埚下降法硅酸铋晶体生长
- NaY(Mo/WO_4)_2∶Eu^(3+)红色荧光粉的合成和发光性能被引量：3
- 2015年
- 利用固相法合成了Eu^(3+)掺杂的NaY(Mo/WO_4)_2红色荧光粉,并用对所获得的样品进行了XRD和激发-发射光谱表征。研究发现随着Eu^(3+)掺杂量逐渐增加,发光强度随之变化。当Eu^(3+)掺杂浓度为30mol%,荧光粉具有最强的发光强度。荧光粉能被395 nm波长紫外光有效激发,发射光谱主要体现为Eu^(3+)的5D0→7F2电偶极跃迁的红光发射,因此适合于解决白光LED缺乏红光成分而导致的显色性差问题。研究发现适量的W^(6+)取代Mo^(6+),不但可以提高荧光粉的发光强度,而且有利于改善材料的色纯度。W^(6+)的最佳掺杂浓度为10at%。在395 nm激发下,NaY(Mo_(0.9)W_(0.1)O_4)_2∶Eu^(3+)荧光粉的色度坐标为(0.666,0.331),优于传统商业红色荧光粉Y_2O_2S∶Eu^(3+)。
- 董园园黄榕徐家跃张彦
- 关键词：红色荧光粉发光性能
