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申慧

作品数:17 被引量:29H指数:3
供职机构:上海应用技术学院材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市教委科研基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 9篇晶体
  • 6篇坩埚下降法
  • 6篇下降法
  • 5篇晶体生长
  • 3篇性能研究
  • 3篇闪烁晶体
  • 3篇纳米
  • 3篇硅酸
  • 3篇硅酸铋
  • 3篇掺杂
  • 2篇坩埚下降法生...
  • 2篇纳米晶
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性能
  • 1篇电器件
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇信息功能材料
  • 1篇压电

机构

  • 16篇上海应用技术...
  • 2篇温州大学
  • 2篇上海晶生实业...
  • 1篇广东海洋大学
  • 1篇日本东北大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中山大学

作者

  • 16篇申慧
  • 15篇徐家跃
  • 5篇江国健
  • 5篇金敏
  • 4篇张彦
  • 3篇杨波波
  • 3篇何庆波
  • 2篇向卫东
  • 2篇储耀卿
  • 2篇陆宝亮
  • 2篇周鼎
  • 2篇吴宪君
  • 1篇房永征
  • 1篇清水肇
  • 1篇熊正烨
  • 1篇王红
  • 1篇展宗贵
  • 1篇熊小敏
  • 1篇李永强
  • 1篇邵明国

传媒

  • 9篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇广东海洋大学...
  • 1篇科技视界
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
弛豫铁电晶体PZNT(001)晶面的腐蚀行为
2011年
采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/7晶体(001)晶面的腐蚀行为。在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨。化学腐蚀还揭示了微观畴的动力学变化,显示畴结构对环境变化十分敏感。
金敏徐家跃申慧陆宝亮
关键词:畴结构腐蚀坑
双离子置换高光输出硅酸铋闪烁晶体的生长与性能研究
硅酸铋(Bi4Si3O12)晶体是一种新型闪烁晶体,其闪烁性能介于BGO和PWO晶体之间,有望在某些应用领域取代著名闪烁晶体BGO.但由于Bi2O3和SiO2两种组成的熔点和密度相差很大,晶体生长非常困难.
徐家跃杨波波张彦申慧储耀卿
关键词:硅酸铋坩埚下降法掺杂
坩埚下降法生长La_2Ti_2O_7晶体及其光性能研究(英文)被引量:1
2011年
采用高温坩埚下降法生长La2Ti2O7晶体,获得的晶体尺寸约为18 mm×12 mm×10 mm,其表面出现了一系列(004)解理面。X射线双摇摆曲线表明该晶体具有良好的结晶质量。透过光谱显示退火后的La2Ti2O7晶体在可见光范围内是透明的,当波长在800 nm左右时,透过率将显著下降。La2Ti2O7晶体的吸收边出现在500 nm波长附近。光折射指数分析表明退火La2Ti2O7晶体具有高的折射率。折射率色散方程确定为n2(λ)=4.61643+0.16198/(λ2-0.01547)-0.47201λ2,利用该公式可计算出300~1680 nm范围内任意波长下的折射指数n值。
金敏吴宪君李新华何庆波申慧徐家跃
关键词:坩埚下降法晶体生长光学性能
钨酸铅闪烁晶体垂直梯度凝固法生长及光学性能研究被引量:3
2011年
本文报道了垂直梯度凝固法(VGF)生长PWO晶体的研究结果。通过优化工艺参数,成功获得直径25 mm、长度140 mm的PWO晶体。通过测试PWO晶体的XRD、透过光谱、荧光光谱等,研究了所得晶体的光学性能。结果表明:VGF法生长PWO晶体在350~420 nm处的光学透过率明显提高,荧光发光主峰位于435 nm,是快发光峰,但慢发光比例有所增加。
向卫东张瑜斐申慧徐家跃江国健邵明国
关键词:钨酸铅晶体光学性能
坩埚下降法生长硅酸铋闪烁晶体(英文)被引量:9
2009年
采用改进型坩埚下降法,从富Bi的高温熔体中生长了硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体,研究了BSO晶体的析晶行为。透明晶体最大尺寸达到30mm×30mm×35mm,晶体具有良好的光学均匀性,在350~900nm波段透过率保持在约80%。相对锗酸铋(Bi4Ge3O12,BGO)晶体,BSO闪烁晶体具有快的衰减时间,有望用于能量范围在几百MeV的4π电磁量能器。
徐家跃王红何庆波申慧清水肇向卫东
关键词:硅酸铋晶体坩埚下降法闪烁体
钙钛矿结构YFe_(1-x)Cr_xO_3纳米晶的制备与磁性能调控
2014年
以柠檬酸为燃料,采用低温且快速的溶胶凝胶自燃烧法制备了YFe1-xCrxO3(0≤x≤0.2)纳米材料,通过工艺优化,得到了高纯、结晶均匀的纳米晶。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、振动样品强磁计(VSM),系统研究了Cr3+掺杂对YFeO3物相、结构、形貌和磁性的调控作用。结果表明:经过Cr3+掺杂,可以有效降低正交钙钛矿相的合成温度,晶胞参数有一定程度的减小。Cr3+掺杂对YFeO3的磁性具有显著的调控作用,纯相YFeO3表现出铁磁特性,而YFe0.8Cr0.2O3则具有明显的顺磁特性,这与Cr3+较小的磁矩以及掺杂Fe3+造成的结构畸变等密切相关。
吴宪君申慧徐家跃
关键词:溶胶凝胶
复合体系铁电晶体生长与畴动力学研究
徐家跃金敏申慧吴宪君姚忻侍敏莉
新型弛豫铁电晶体是一种具有超高压电/铁电性能的信息功能材料,被誉为铁电领域半个多世纪以来"一次激动人心的突破".与传统压电陶瓷PZT相比,新型弛豫铁电晶体的压电常数是PZT的4-5倍,其机电耦合系数高达95%,应变常数可...
关键词:
关键词:铁电晶体压电器件信息功能材料
材料化学专业硕士研究生创新型人才培养探索研究被引量:2
2016年
培养材料化学专业硕士研究生创新型人才依赖于许多因素的有效耦合。需要启发、引导、教育等这些方式,使学生有相应的模仿能力、创新意识、广泛的基础知识、对新产品或者新技术独到的见解,这样就可能培养出来具有创新能力的硕士研究生。
张彦陈慧芬申慧
关键词:材料化学
四硼酸锂晶体的介电频域谱研究被引量:1
2013年
选用优质四硼酸锂单晶加工成小薄片后测量其频域介电谱。在kHz至1 MHz范围内,观察到空间电荷等所引起的损耗峰,但损耗峰形复杂,不能用用德拜弛豫模型描述;从科尔—科尔图的趋势可以判断该晶体中,空间电荷引起的介电常数变化范围约为9.98~10.07。由紫外吸收谱估算出电子谐振频率高于1.67 PHz,根据光频段的介电色散模型,分析了折射率测量的实验结果,可得:晶体中电子极化的直流介电常数约为2.55,偶极取向极化和原子(离子)极化对直流介电常数的贡献约为7.43。
熊正烨徐家跃李永强申慧熊小敏
关键词:四硼酸锂介电常数极化
双离子置换高光输出硅酸铋闪烁晶体的生长与性能研究
硅酸铋(BiSiO)晶体是一种新型闪烁晶体,其闪烁性能介于BGO和PWO晶体之间,有望在某些应用领域取代著名闪烁晶体BGO。但由于BiO和SiO两种组成的熔点和密度相差很大,晶体生长非常困难。我们采用Sol-Gel方法合...
徐家跃杨波波张彦申慧储耀卿
关键词:硅酸铋坩埚下降法掺杂
文献传递
共2页<12>
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