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金敏

作品数：29 被引量：39H指数：3
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市教育委员会创新基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 4篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇理学
  • 9篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 4篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 11篇晶体
  • 10篇晶体生长
  • 7篇坩埚下降法
  • 7篇下降法
  • 4篇压电
  • 4篇砷化镓
  • 4篇砷化镓晶体
  • 4篇坩埚下降法生...
  • 3篇铁电
  • 3篇热导率
  • 3篇高热导率
  • 2篇电性能
  • 2篇动力学
  • 2篇动力学研究
  • 2篇信息功能材料
  • 2篇压电性
  • 2篇压电性能
  • 2篇陶瓷
  • 2篇铁电体
  • 2篇热电

机构

  • 15篇上海应用技术...
  • 8篇中国科学院宁...
  • 6篇中国科学院
  • 3篇上海应用技术...
  • 2篇上海电机学院
  • 2篇上海大学
  • 1篇华东理工大学
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇西安建筑科技...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇上海晶生实业...

作者

  • 29篇金敏
  • 18篇徐家跃
  • 6篇胡皓阳
  • 6篇蒋俊
  • 5篇江浩川
  • 5篇申慧
  • 5篇徐静涛
  • 4篇房永征
  • 4篇王占勇
  • 3篇江国健
  • 3篇王冰心
  • 2篇张伟荣
  • 2篇刘文庆
  • 2篇周鼎
  • 2篇钱蕙春
  • 2篇何庆波
  • 2篇刘柱
  • 2篇钟柳明
  • 1篇吴蓁
  • 1篇陈惠芬

传媒

  • 8篇人工晶体学报
  • 3篇应用技术学报
  • 1篇涂料工业
  • 1篇金属热处理
  • 1篇玻璃与搪瓷
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇上海应用技术...
  • 1篇河南教育（高...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2008
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>6</Sub>晶体生长方法
本申请提供了一种Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>6</Sub>晶体生长方法，采用溶体生长法，将Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>6</Sub>籽晶与Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>...
金敏蒋俊胡皓阳邵和助徐静涛江浩川
铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究被引量：1
2015年
使用<511>取向Ga As籽晶,在直径2英寸的p BN坩埚中生长了2.5%Bi掺杂的Ga As晶体。能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到Ga As晶体中。X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42″。与未掺杂Ga As晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 e V移至近1.39 e V。扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进。
王冰心徐家跃金敏何庆波房永征
关键词：坩埚下降法晶体生长砷化镓晶体
坩埚下降法生长La_2Ti_2O_7晶体及其光性能研究(英文)被引量：1
2011年
采用高温坩埚下降法生长La2Ti2O7晶体,获得的晶体尺寸约为18 mm×12 mm×10 mm,其表面出现了一系列(004)解理面。X射线双摇摆曲线表明该晶体具有良好的结晶质量。透过光谱显示退火后的La2Ti2O7晶体在可见光范围内是透明的,当波长在800 nm左右时,透过率将显著下降。La2Ti2O7晶体的吸收边出现在500 nm波长附近。光折射指数分析表明退火La2Ti2O7晶体具有高的折射率。折射率色散方程确定为n2(λ)=4.61643+0.16198/(λ2-0.01547)-0.47201λ2,利用该公式可计算出300～1680 nm范围内任意波长下的折射指数n值。
金敏吴宪君李新华何庆波申慧徐家跃
关键词：坩埚下降法晶体生长光学性能
磷酸盐激光玻璃离子交换动力学研究
2011年
对Li2O质量分数不同的磷酸盐激光玻璃进行了离子交换实验,并研究了熔盐中K+及Na+在玻璃中的扩散动力学。使用波分散光谱(WDS)技术分析了K+及Na+在玻璃中的扩散深度,并研究了两种离子在玻璃中的离子扩散系数和扩散活化能。实验结果表明,玻璃中Li2O质量分数较高时,K+及Na+在玻璃中的扩散深度较大;混合碱效应导致离子的扩散系数降低。
房永征钱蕙春金敏徐家跃江国健王占勇胡丽丽
关键词：磷酸盐玻璃离子交换动力学
弛豫铁电晶体PZNT(001)晶面的腐蚀行为
2011年
采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/7晶体(001)晶面的腐蚀行为。在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨。化学腐蚀还揭示了微观畴的动力学变化,显示畴结构对环境变化十分敏感。
金敏徐家跃申慧陆宝亮
关键词：畴结构腐蚀坑
大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展被引量：1
2012年
介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展,综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响,重点分析了为解决ZnTe生长过程中存在的蒸汽压过高的问题,通过控制提高Te的比例,实现低温低压生长,对比了不同生长方法的生长机理差异及其对单晶尺寸、缺陷和性能的影响,为寻求解决大尺寸单晶生长面临的问题提供了参考。
钟柳明王占勇金敏张伟荣刘文庆徐家跃
复合体系铁电晶体生长与畴动力学研究
徐家跃金敏申慧吴宪君姚忻侍敏莉
新型弛豫铁电晶体是一种具有超高压电/铁电性能的信息功能材料，被誉为铁电领域半个多世纪以来"一次激动人心的突破".与传统压电陶瓷PZT相比，新型弛豫铁电晶体的压电常数是PZT的4-5倍，其机电耦合系数高达95%，应变常数可...
关键词：
关键词：铁电晶体压电器件信息功能材料
Te自助熔剂定向凝固法生长CdTe晶体被引量：1
2020年
碲化镉(CdTe)晶体是一种制造室温X射线和γ射线探测器最为理想的半导体材料,在医学、食品、安检、核废料监测等应用领域前景广阔。采用一种Te自助溶剂定向凝固技术生长CdTe晶体,在区熔温场及坩埚旋转系统的综合作用下,获得了平坦状的理想固液界面形貌。生长25 mm的CdTe晶体横截面单晶区域面积可达70%,从56 mm的CdTe晶体中可截取尺寸达15 mm×15 mm×3 mm的单晶,电学测试表明CdTe晶体在未掺杂改性条件下电阻率达108Ω·cm。红外透射显示,CdTe晶体中包含尺寸范围为1~20μm的Te夹杂,这是CdTe单晶生长过程中出现的主要微观缺陷。该工作取得的相关成果对未来CdTe晶体生长技术发展具有一定参考价值和借鉴意义。
金敏胡皓阳胡皓阳刘柱徐静涛江浩川
关键词：固液界面
新型弛豫铁电晶体析晶行为和畴形态理论研究
徐家跃金敏侍敏莉吴宪君范世骥
新型弛豫铁电晶体是一种具有优异压电/铁电性能的信息功能材料，被誉为铁电领域半个多世纪以来“一次激动人心的突破”。与传统压电陶瓷PZT相比，新型弛豫铁电晶体的压电常数是PZT的4-5倍，其机电耦合系数高达95%，均为现有压...
关键词：
关键词：信息功能材料
SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展被引量：1
2020年
SnSe晶体是一种新型低成本环境友好型热电半导体材料,近几年已成为国内外研究的热点。为了获得SnSe晶体,目前国际上主要采用垂直布里奇曼法和垂直梯度凝固法两种技术进行生长。然而该材料因具有独特的层状结构和复杂热膨胀特征,其在晶体生长过程中极易发生解理开裂,导致难以获得大尺寸晶体。为了解决高完整SnSe晶体制备难题,本团队在材料体系相图及热重分析指导下,近年来先后开发出了气相法、水平熔体法以及水平液封法等多种晶体制备技术,均成功获得了较大尺寸的SnSe晶体材料。本论文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等多方面对相关技术创新情况予以介绍,并将它们的优缺点进行了对比。综合评价认为水平液封法在获取高完整SnSe晶体及性能调控方面具有显著优势,未来将逐渐成为一种广受欢迎的技术。
白旭东胡皓阳蒋俊李荣斌申慧徐家跃金敏
关键词：半导体热电晶体生长技术创新
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