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江若琏

作品数:150 被引量:126H指数:6
供职机构:南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程电气工程更多>>

文献类型

  • 72篇专利
  • 52篇期刊文章
  • 22篇会议论文
  • 4篇科技成果

领域

  • 59篇电子电信
  • 18篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 24篇半导体
  • 23篇探测器
  • 23篇衬底
  • 16篇氮化镓
  • 16篇蓝宝
  • 16篇蓝宝石
  • 15篇光电
  • 14篇导体
  • 14篇反射镜
  • 14篇布拉格反射镜
  • 13篇淀积
  • 12篇退火
  • 12篇分布布拉格反...
  • 12篇分布布拉格反...
  • 12篇ALGAN
  • 12篇MOCVD
  • 11篇异质结
  • 11篇光电探测
  • 11篇光电探测器
  • 11篇半导体材料

机构

  • 139篇南京大学
  • 18篇中国科学院
  • 11篇江苏省光电信...
  • 2篇南京电子器件...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇美国西北大学

作者

  • 150篇江若琏
  • 129篇张荣
  • 127篇郑有炓
  • 123篇韩平
  • 87篇谢自力
  • 85篇顾书林
  • 84篇修向前
  • 84篇朱顺明
  • 68篇胡立群
  • 67篇施毅
  • 55篇沈波
  • 32篇刘斌
  • 32篇刘斌
  • 26篇施毅
  • 25篇陈鹏
  • 22篇周建军
  • 21篇赵红
  • 20篇毕朝霞
  • 18篇姬小利
  • 16篇刘成祥

传媒

  • 17篇Journa...
  • 7篇第十六届全国...
  • 5篇物理学报
  • 5篇高技术通讯
  • 5篇激光与红外
  • 4篇半导体光电
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇第十二届全国...
  • 2篇功能材料
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇纳米技术与精...
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇全国化合物半...
  • 2篇首届全国先进...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇光散射学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇世界产品与技...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 17篇2008
  • 28篇2007
  • 19篇2006
  • 14篇2005
  • 16篇2004
  • 7篇2003
  • 10篇2002
  • 1篇2001
  • 13篇2000
  • 5篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1992
  • 3篇1991
  • 1篇1989
150 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法
利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法,利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料,蓝宝石(0001)衬底放入生长室,预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点,生长室温度在...
谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌于英仪俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
文献传递
一种获得半导体异质结与超晶格材料的方法及设备
本发明涉及在半导体基质材料上获得原子级晶格材料的方法及专用生长设备。在一透明室内注入气相材料,并维持10<Sup>-2</Sup>托以下的真空条件,采用灯加热使气相材料反应在基底表面反应淀积,反应淀积温度在气相材料、热解...
郑有炓张荣胡立群江若琏莫水元李学宁陈艺文
文献传递
Si基GaN的微结构表征(英文)
<正>GaN-based materials have attracted great interest because of its direct and wide band gap,high-saturation e...
江若琏陈鹏赵作明沈波郑有斗
文献传递
获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法
获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石...
张荣修向前徐剑顾书林卢佃清毕朝霞沈波刘治国江若琏施毅朱顺明韩平胡立群
文献传递
激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法,采用准分子激光器:激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能,但是大于GaN的带隙能,激光辐照透过蓝宝石衬底,辐照蓝宝石-氮化镓界面处的GaN,然后加热或弱酸腐蚀,将GaN和蓝宝石分离开来,...
张荣修向前徐剑顾书林卢佃清毕朝霞沈波刘治国江若琏施毅朱顺明韩平胡立群
文献传递
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50...
谢自力张荣韩平王荣华刘斌修向前赵红郑有炓顾书林江若琏施毅朱顺明胡立群
文献传递
Si基GaN上的欧姆接触被引量:3
2000年
研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝 (Al)和钛铝铂金(Ti Al Pt Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al GaN在 45 0℃氮气气氛退火 3min取得最好的欧姆接触率 7.5× 1 0 3Ω·cm2 ,而Ti Al Pt Au GaN接触在 6 5 0℃氮气气氛退火 2 0s取得最好的欧姆接触 8.4× 1 0 5Ω·cm2 ,而且Ti Al Pt Au GaN接触有较好的热稳定性。
赵作明江若琏陈鹏席冬娟沈波郑有炓
关键词:欧姆接触合金化退火热稳定性
RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质被引量:2
1991年
本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”(RRH/VLP-CVD)生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻分析显示了外延层杂质浓度分布均匀,与衬底间的界面区杂质分布陡峭.在外延层上制备了霍耳样品、PN结二极管和Al-SiO_2-SiMOS结构,经测量分析所得各项重要数据与优质硅单晶所制的样品相一致.实验结果表明RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜具有良好的电学性质,已可用于器件的制备.
江若琏郑有炓马金中冯德伸江宁张荣胡立群李学宁
关键词:硅薄膜化学汽相淀积
利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法
利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法,利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料,蓝宝石(0001)衬底放入生长室,预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点,生长室温度在...
谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌于英仪俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
文献传递
AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长
文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备.通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了Al...
李亮周建军刘斌韩平江若琏顾书林施毅郑有炓张荣谢自力修向前姬小利刘成祥毕朝霞陈琳龚海梅张禹
关键词:ALGANGAN分布布拉格反射镜MOCVD
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