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洪杰

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇电路
  • 7篇阈值电压
  • 7篇集成电路
  • 5篇电路技术
  • 5篇集成电路技术
  • 4篇测量电路
  • 3篇反相器
  • 2篇电容
  • 2篇电压
  • 2篇电压比较器
  • 2篇电压变化
  • 2篇氧化层
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇直流
  • 2篇直流电
  • 2篇直流电压
  • 2篇准循环LDP...
  • 2篇物理量
  • 2篇连通度

机构

  • 12篇北京大学

作者

  • 12篇洪杰
  • 8篇何燕冬
  • 8篇张钢刚
  • 8篇张兴
  • 2篇左君
  • 2篇艾雷
  • 2篇龙秋朦
  • 2篇罗武
  • 2篇董明科
  • 2篇蒋伟
  • 2篇洪一帆
  • 2篇乐天

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
NBTI效应的电路级研究
随着集成电路工艺的进步和器件尺寸的缩小，电路的可靠性问题已经成为了半导体行业的重大挑战。在当前的半导体工艺下，负偏压温度不稳定性(NegativeBias Temperature Instability, NBTI)是一...
洪杰
关键词：数字集成电路负偏压温度不稳定性反相器环形振荡器阈值电压漂移
阈值电压退化测量电路
本发明涉及集成电路技术领域，提供了一种阈值电压退化测量电路。所述电路包括两个串联的MOS管；其中，第一MOS管为被测管，第一MOS管的栅极连接第一直流电压，源极和衬底同时连接源极电压，漏极连接输出端；第二MOS管的栅极和...
洪杰何燕冬张钢刚张兴
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栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法
本发明公开了一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法，涉及MOS器件质量、可靠性测试技术领域，所述测试结构包括n型MOSFET及对应的p型栅氧化层电容，或者p型MOSFET及对应的n型栅氧化层电容；所述n型MOSFET...
何燕冬洪杰张钢刚张兴
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阈值电压退化测量电路
本发明涉及集成电路技术领域，提供了一种阈值电压退化测量电路。所述电路包括两个串联的MOS管；其中，第一MOS管为被测管，第一MOS管的栅极连接第一直流电压，源极和衬底同时连接源极电压，漏极连接输出端；第二MOS管的栅极和...
洪杰何燕冬张钢刚张兴
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一种基于原模图的准循环LDPC码构造方法及装置
本发明公布了一种基于原模图的准循环LDPC码构造方法及装置。构造方法中对原模图进行两次扩展，第一次扩展次数L<Sub>1</Sub>较小，采用修正PEG算法去除原模图中的重边、增大扩展后码的围长。第二次扩展次数为L<Su...
董明科左君洪一帆乐天洪杰龙秋朦蒋伟罗武
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一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路
本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路。该电路包括：PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链，上述部件组成一个三角波产生电路。本发明提供的...
何燕冬艾雷洪杰张钢刚张兴
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栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法
本发明公开了一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法，涉及MOS器件质量、可靠性测试技术领域，所述测试结构包括n型MOSFET及对应的p型栅氧化层电容，或者p型MOSFET及对应的n型栅氧化层电容；所述n型MOSFET...
何燕冬洪杰张钢刚张兴
MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法
本发明公开了一种MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法，涉及集成电路技术领域，所述测量电路包括：类型相同的待测MOS管和标准MOS管，所述待测MOS管和标准MOS管串联连接。本发明通过串联连接的待测MOS管和标准M...
洪杰何燕冬张钢刚张兴
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一种基于原模图的准循环LDPC码构造方法及装置
本发明公布了一种基于原模图的准循环LDPC码构造方法及装置。构造方法中对原模图进行两次扩展，第一次扩展次数L<Sub>1</Sub>较小，采用修正PEG算法去除原模图中的重边、增大扩展后码的围长。第二次扩展次数为L<Su...
董明科左君洪一帆乐天洪杰龙秋朦蒋伟罗武
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低码率低密度奇偶校验码编译码器的研究与实现
低密度奇偶校验(Low-Density Parity-Check，LDPC)码是一类逼近香农极限的信道编码方案，其性能优越且实现复杂度低，因而在通信系统中应用十分广泛。论文旨在研究一种低码率LDPC码编译码器的设计与实现...
洪杰
关键词：编译码器硬件设计
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共2页<12>
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