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薛佳伟

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇低应力
  • 1篇电阻率
  • 1篇电阻率变化
  • 1篇应力
  • 1篇中子
  • 1篇中子辐照
  • 1篇硅单晶
  • 1篇硅片
  • 1篇辐照
  • 1篇CZ硅单晶
  • 1篇MEMS

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇薛佳伟
  • 1篇张继荣
  • 1篇杨洪星
  • 1篇佟丽英
  • 1篇赵权

传媒

  • 1篇天津科技
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化被引量：2
2005年
CZ 硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650￣700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值。
张继荣薛佳伟佟丽英
关键词：硅单晶电阻率辐照
MEMS用低应力硅片的研制被引量：1
2008年
通过对硅片加工过程中的高温退火、切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序工艺过程的研究,找出了影响MEMS用硅抛光片应力参数的关键工艺,表明通过调整关键工艺参数,能够有效地控制MEMS用硅抛光片的应力参数。
薛佳伟赵权杨洪星
关键词：MEMS应力硅片
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共1页<1>
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