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许生根

作品数：18 被引量：2H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划浙江省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 9篇埋层
  • 9篇沟道
  • 8篇氧化层
  • 8篇NLDMOS
  • 7篇反向偏置
  • 7篇SOI_LD...
  • 6篇电学
  • 6篇电学特性
  • 5篇SOI
  • 4篇热学性能
  • 4篇槽栅
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅栅
  • 3篇自加热
  • 3篇自加热效应
  • 3篇跨导
  • 3篇硅栅
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层

机构

  • 18篇杭州电子科技...

作者

  • 18篇许生根
  • 17篇张海鹏
  • 9篇赵伟立
  • 8篇吴倩倩
  • 8篇刘怡新
  • 8篇汪洋
  • 8篇孔令军
  • 7篇陈波
  • 5篇李浩
  • 3篇齐瑞生
  • 1篇苏步春
  • 1篇林弥
  • 1篇徐丽燕
  • 1篇刘国华
  • 1篇徐文杰
  • 1篇张亮

传媒

  • 1篇科技通报
  • 1篇电子器件
  • 1篇杭州电子科技...

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 11篇2011
  • 1篇2010
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有超高耐压(>1200V)的薄埋氧层BPL SOI LDMOS(英文)
2012年
为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层。当器件正向截止时,N型漂移区与P埋层之间的反偏PN结将承担器件的绝大部分纵向压降。采用2维数值仿真工具Silvaco TCAD对BPL SOI LDMOS进行虚拟制造和器件仿真,结果表明该结构采用适当的参数既能实现1 280 V的耐压,将BOL减薄到几百纳米以下又可以改善其热特性。
张海鹏许生根
关键词：热性能
集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本发明涉及一种集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅栅，第...
张海鹏许生根陈波李浩
一种集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本实用新型涉及一种集成双纵向沟道SOILDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅...
张海鹏许生根陈波李浩
文献传递
具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元
本实用新型涉及一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型在隐埋氧化层上下两侧分别设置p埋层区和p型半导体衬底，p埋层区上设置n型轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区顶部两侧分别...
张海鹏许生根赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋
文献传递
制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法
本发明涉及一种制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有双纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现双纵向槽栅结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向...
张海鹏许生根陈波李浩
一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层上下两侧分别设置p埋层区和p型半导体衬底，p埋层区上设置n型轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区顶部两侧分别设置p型...
张海鹏许生根赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋
文献传递
具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元
本实用新型涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p型埋层区、n型轻掺杂漂移区、p型阱区、p型欧姆接触区、n型源区、纵向...
张海鹏许生根刘怡新吴倩倩孔令军汪洋赵伟立
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具有P埋层的SOI nLDMOS器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有P埋层的SOInLDMOS器件单元的制作方法。现有方法制作的SOInLDMOS器件严重影响了器件的耐压性能，而且影响了器件的散热。本发明通过采用具有P埋层的SOI厚膜材料上经过九次光刻，制造具有P埋层的...
张海鹏许生根赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋
文献传递
集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本发明涉及一种集成双纵向沟道SOILDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅栅，第一...
张海鹏许生根陈波李浩
文献传递
一种自偏置预失真线性功率放大器被引量：1
2010年
该文提出了一种用中芯国际0.18μm工艺设计的自偏置预失真AB类功率放大电路电路结构。电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置电路,在第二级电路中采用预失真电路。该次设计采用Agilent的ADS软件对电路进行模拟,在2.4GHz频率下,1dB压缩点的输出功率为22.5dBm,此时的PAE是25.1%。
陈波张海鹏许生根齐瑞生
关键词：功率放大器自偏置预失真共源共栅线性化
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