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钟国仿

作品数：7 被引量：61H指数：5
供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 4篇金刚石膜
  • 3篇金刚石
  • 3篇刚石
  • 2篇CVD
  • 2篇大面积金刚石...
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体炬
  • 1篇电弧
  • 1篇电弧行为
  • 1篇抛光
  • 1篇气相沉积
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土金属
  • 1篇金属
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒度
  • 1篇基片
  • 1篇基片温度
  • 1篇功率
  • 1篇CVD金刚石...

机构

  • 7篇北京科技大学
  • 1篇河北省科学院

作者

  • 7篇吕反修
  • 7篇钟国仿
  • 5篇唐伟忠
  • 2篇杨让
  • 2篇黄天斌
  • 2篇刘敬明
  • 2篇付一良
  • 2篇佟玉梅
  • 1篇潘存海
  • 1篇王志娜
  • 1篇唐才先
  • 1篇李惠琪
  • 1篇罗廷礼
  • 1篇吴晓波
  • 1篇臧建民
  • 1篇崔文秀
  • 1篇张永贵
  • 1篇杜素梅
  • 1篇郭辉
  • 1篇王建军

传媒

  • 4篇北京科技大学...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇河北省科学院...
  • 1篇金属热处理学...

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1994
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
DC　PJ－CVD等离子体炬通道中的电弧行为被引量：12
1994年
运用电磁学和热流体学的方法研究了直流大阳极喷嘴长电弧通道等离子体炬中电弧的行为，并通过实验证明了温度梯度与电场梯度作用于流体时所产生的特殊现象；结果表明：电弧弧柱的高温效应剧烈排斥冷气流的混入，使ＣＶＤ过程受到抑制。新产生的胶体粒子在热泳现象作用下逐渐沉积于通道内壁上。改变不同气体的进气位置以及减小温度与电场梯度并增设径向旋转磁场。
李惠琪钟国仿吕反修杨让
关键词：等离子体电弧等离子体炬
基片温度对直流电弧等离子体喷射沉积金刚石膜的影响被引量：7
1999年
研究直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜系统中，基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响．实验发现，金刚石膜的生长速率和结晶性随基片温度的增加而单调增加，但是金刚石膜中非金刚石碳的质量分数先是随基片温度的增加而降低，在1000～1100℃达到最低值以后又开始随基片温度的增加而增加．
钟国仿申发振唐伟忠吕反修
关键词：金刚石基片温度CVD
稀土金属抛光金刚石膜技术被引量：22
1996年
研究开发了一种快速有效地抛光化学气相沉积（ＣＶＤ）金刚石厚膜的技术。该技术利用化学活性很强的稀土金属镧（Ｌａ）与金刚石（碳）的化学反应，在一定的工艺条件下可对金刚石膜进行有效的抛光。抛光速率的高低与抛光温度有关，在温度大于９００℃时抛光效率较高，可达３４μｍ／ｈ，表面粗糙度可从原来的Ｒａ１２μｍ降至Ｒａ１．６μｍ，如用于后续的精抛光，可大大减少抛光的时间和提高抛光效率，使表面十分粗糙的金刚石厚膜的精抛光能得以经济地进行。
付一良吕反修王建军钟国仿王亮杨让
关键词：金刚石膜稀土金属抛光
廉价制备大面积金刚石膜的高功率直流等离子体喷射设备的研制被引量：5
1997年
本文介绍了在８６３新材料领域资助下最新研制成功的１００ｋｗ级高功率直流等离子体喷射（ＤＣＰｌａｓｍａＪｅｔ）金刚石膜沉积系统。利用该系统在氩气—氢气—甲烷气体系中进行了初步的工艺试验，经过４０小时的连续运行，在Φ１１０ｍｍ的基片上沉积出中心厚１．９ｍｍ，边沿厚１．６ｍｍ的金刚石膜。平均生长速率达４４μｍ／ｈ。
臧建民潘存海唐才先杜素梅罗廷礼张永贵康增江石尔平王少岩孙振路郭辉崔文秀李国华王志娜吴晓波臧怀壮钟国仿王豪唐伟忠吕反修
关键词：金刚石
大面积无衬底自支撑金刚石厚膜沉积被引量：12
2000年
讨论了在采用直流电弧等离子体喷射CVD工艺沉积大面积无衬底自支撑金刚石厚膜时遇到的若干技术问题．在制备过程中经常出现的膜炸裂现象，主要是由于膜和衬底材料线膨胀系数差异引起的巨大热应力，而衬底表面状态的控制、沉积过程中工艺参数的优化和控制也是一个重要的因素．因此，必须对整个金刚石厚膜沉积过程进行严格而系统的控制，才能有效地保证获得无裂纹大面积金刚石自支撑厚膜．
黄天斌刘敬明钟国仿唐伟忠佟玉梅吕反修
大面积金刚石膜的均匀沉积被引量：1
2000年
研究了大面积金刚石膜沉积过程中的均匀性问题和金刚石膜质量的均匀性问题．研究表明：用于生长金刚石膜的大面积磁旋转等离子体电弧是均匀的，能使气体混合均匀：金刚石膜在形核阶段是均匀的；金刚石膜在生长阶段是均匀的，有利于提高成膜几率：沉积后的金刚石膜的质量是均匀的．大面积磁控长通道等离子矩能生长均匀的金刚石膜，可用于金刚石膜的研究和工业生产，
黄天斌刘敬明唐伟忠钟国仿蒋政吕反修
关键词：金刚石膜
CVD金刚石膜的断裂行为被引量：4
1997年
采用球环法研究了用大功率ＤＣＰｌａｓｍａＪｅｔＣＶＤ沉积的无衬底自支撑金刚石厚膜的断裂强度和断裂韧度，并试图探索其与原始显微组织特征（特别是晶粒度）的关系。发现ＣＶＤ金刚石膜的强度和断裂韧度均远低于天然Ⅱａ型宝石级金刚石单晶。对于未抛光的试样，数据的离散程度掩盖了任何可能存在的规律性，而对于经过抛光的试样，研究结果表明与众所周知的ＰｅｔｃｈＨａｌ公式有相当好的吻合，说明细化晶粒仍然是提高ＣＶＤ金刚石膜力学性能的有效途径。预先存在的内部裂纹是ＣＶＤ金刚石膜强度低的重要原因之一。
吕反修付一良钟国仿唐伟忠杨连隐佟玉梅
关键词：气相沉积金刚石晶粒度
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