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闫新强

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇淀积
  • 2篇气相淀积
  • 2篇化学气相淀积
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇电路
  • 1篇电压
  • 1篇电压稳定
  • 1篇电压稳定性
  • 1篇生长温度
  • 1篇碳化硅
  • 1篇温度场
  • 1篇温度场模拟
  • 1篇温度特性
  • 1篇模拟电路
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇N型
  • 1篇SIC材料

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇闫新强
  • 2篇张玉明
  • 1篇林智
  • 1篇王悦湖
  • 1篇马格林
  • 1篇张义门

传媒

  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
CMOS带隙基准电压源的设计被引量：1
2007年
给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法,该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压。文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法。
闫新强张玉明林智
关键词：CMOS模拟电路带隙基准电压源电压稳定性温度特性
碳化硅外延材料生长温度场模拟和表征技术研究
SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质，已成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。本文对同质外延碳化硅单晶材料的生长机理和外延生长层的表征方法进行了研究。在生长机理方面，主要研究在碳化硅单晶衬底材料上同质外延的化...
闫新强
关键词：化学气相淀积温度场碳化硅
文献传递
N型4H-SiC同质外延生长的工艺过程研究
SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点,特别是SiC的外延生长,更是人们关注的方向.本文详细描述了我们实验室从EPIGRESS AB公司引进的水平热墙CVD设备,生长外延层...
闫新强张玉明张义门王悦湖马格林
关键词：化学气相淀积SIC材料生长温度
文献传递
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