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文献类型

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  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇
  • 1篇电桥
  • 1篇电阻
  • 1篇镀铜
  • 1篇引线
  • 1篇引线框
  • 1篇引线框架
  • 1篇双臂电桥
  • 1篇抗氧化
  • 1篇厚度
  • 1篇封装
  • 1篇封装工艺

机构

  • 2篇天水华天科技...

作者

  • 2篇安飞
  • 2篇张胡军
  • 2篇刘殿龙
  • 2篇李习周
  • 2篇张进兵
  • 1篇慕蔚
  • 1篇温莉珺
  • 1篇周建国
  • 1篇刘志强
  • 1篇雷育恒
  • 1篇杨文杰
  • 1篇王立国
  • 1篇焦建斌
  • 1篇温莉

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
镀铜厚度对裸铜框架抗氧化性能的影响被引量:2
2013年
采用双臂电桥法测量了不同氧化程度的裸铜框架的电阻,在此基础上分析了烘箱内氧浓度、烘烤温度和框架表面镀铜厚度对框架氧化程度的影响。研究发现,在氧浓度≤0.1%的氮气保护环境中,经过180℃烘烤60min后,裸铜框架的氧化程度大于无氮气保护下100℃烘烤60min后的氧化程度;镀铜层能有效提高裸铜框架在100-180℃范围内的抗氧化能力,镀铜层较厚(1.0岬)的裸铜框架的抗氧化能力优于镀铜层较薄(0.5岬)的裸铜框架的抗氧化能力。
张胡军张进兵安飞雷育恒温莉刘殿龙李习周
关键词:双臂电桥电阻
裸铜框架铜线键合封装技术的研发
刘殿龙李习周温莉珺安飞张进兵张胡军焦建斌张易勒周建国慕蔚杨文杰王立国刘志强
该项目的创新点是:1.引线框架由镀银改为镀铜,防止了银迁移现象造成的产品短路,降低了封装成本(降低2%~5%);2.采用引线框架防氧化处理、上芯防氧化技术和改进的装片胶铜-铜键合工艺,并通过工艺试验确定了镀铜厚度(≥1....
关键词:
关键词:引线框架封装工艺
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