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朱东海

作品数：4 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇ALGAAS
  • 1篇单量子阱
  • 1篇单量子阱激光...
  • 1篇因素及控制
  • 1篇砷化铟
  • 1篇砷化镓
  • 1篇自对准
  • 1篇自组织生长
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇激射
  • 1篇激射波长
  • 1篇工作特性
  • 1篇功率
  • 1篇功率半导体

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇国家光电子工...

作者

  • 4篇朱东海
  • 3篇梁基本
  • 3篇龚谦
  • 3篇王占国
  • 3篇朱战萍
  • 2篇张隽
  • 1篇江潮
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇范缇文
  • 1篇方祖捷
  • 1篇屠玉珍
  • 1篇周伟
  • 1篇刘斌
  • 1篇金才政

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇发光学报

年份

  • 4篇1997
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
1997年
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．
朱东海王占国梁基本徐波朱战萍张隽龚谦金才政丛立方胡雄伟韩勤方祖捷刘斌屠玉珍
关键词：单量子阱激光器
AlGaAs/GaAs,InGaAs/GaAs体系光电子材料的MBE生长及相关性质研究
该文利用分子束外延(MBE)技术研究了AlGaAs/GaAs,InGaAs/GaAs体系光电子材料的生长机理、性质及相关器件的特性.主要研究结果如下:(1)在优化生长条件,合理地设计激光器能带结构及对MBE生长动力学研究...
朱东海
关键词：分子束外延ALGAAS/GAASINGAAS/GAAS光电子材料
MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究被引量：2
1997年
利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移．这表明由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生．
朱东海范缇文梁基本徐波朱战萍龚谦江潮李含轩周伟王占国
关键词：量子点分子束外延自组织生长砷化铟
808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制被引量：5
1997年
通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2．3W．
朱东海梁基本徐波朱战萍张隽龚谦李胜英王占国
关键词：半导体激光器砷化镓ALGAAS激射波长
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