朱战萍
- 作品数：8 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
- 1997年
- 本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．
- 朱东海王占国梁基本徐波朱战萍张隽龚谦金才政丛立方胡雄伟韩勤方祖捷刘斌屠玉珍
- 关键词：单量子阱激光器
- 分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究被引量：1
- 1993年
- 用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。
- 梁基本孔梅影王占国朱战萍段维新王春艳张学渊曾一平
- 关键词：砷化镓缓冲层
- 高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究
- 1995年
- 本文采用三角附近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－）ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移率与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）ＡＳ异质结的结构参数进行了优化分析．就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果．
- 杨斌王占国陈涌海梁基本廖奇为林兰英朱战萍徐波李伟
- 关键词：ALGAAS高电子迁移率
- MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究被引量：2
- 1997年
- 利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移．这表明由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生．
- 朱东海范缇文梁基本徐波朱战萍龚谦江潮李含轩周伟王占国
- 关键词：量子点分子束外延自组织生长砷化铟
- MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料被引量：1
- 2000年
- 用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm.
- 曹昕曾一平孔梅影王保强潘量张昉昉朱战萍
- 关键词：PHEMTMBE掺杂
- 低温分子束外延GaAS薄膜的研究被引量：2
- 1994年
- 我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物．沉淀物大致呈球形．砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大，而密度却随退火温度的上升指数地下降．
- 邓航军范缇文王占国梁基本朱战萍李瑞钢
- 关键词：分子束外延砷化镓
- 808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制被引量：5
- 1997年
- 通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2．3W．
- 朱东海梁基本徐波朱战萍张隽龚谦李胜英王占国
- 关键词：半导体激光器砷化镓ALGAAS激射波长
- 分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用
- 1990年
- 在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As材料的AlAs摩尔分数,即x值。
- 张晓秋朱战萍孙殿照孔梅影曾一平郑海群阎春辉
- 关键词：分子束外延外延层杂散光超晶格
