李同宁
- 作品数：14 被引量：12H指数：3
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- DFB阵列LD与波导器件集成耦合微透镜设计被引量：1
- 2000年
- 就DWDM系统的DFB阵列LD与波导器件的模式匹配问题提出了双微透镜阵列的耦合方案 ;采用微透镜对微高斯光束的变换理论对耦合微透镜进行了设计 ,并得出了各设计参数的计算公式 .
- 陈长虹易新建李同宁
- 关键词：微透镜波导器件
- MOVPE生长1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究被引量：5
- 2002年
- 通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。采用此外延材料成功制作了 1 3μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器 ,器件测试结果为 :激射波长 :12 90nm≤ λ≤ 1330nm ;阈值电流 :Ith(2 5℃ )≤15mA ;Ith(85℃ )≤ 2 5mA ;量子效率变化 :Δηex(2 5～ 85℃ )≤ 1 0dB。
- 马宏易新建金锦炎杨新民李同宁
- 关键词：ALGAINAS半导体激光器
- 高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
- 1999年
- 采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时，管芯最大输出功率超过５０ｍＷ，阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间，发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ，边模抑制比超过３５ｄＢ，室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。
- 杨新民李同宁刘涛周宁金锦炎李晓良
- 关键词：ALGAINAS应变多量子阱DFB激光器
- 光交叉连接中空分光开关阵列的研制
- 2001年
- 研究了热光开关的基本原理与光开关阵列的基本构成 ,给出了相关的主要性能参数。包括开关速度、隔离度、回波损耗、插入损耗等。实际制备了一个 4× 4的光开关阵列 ,并给出了初步的实验结果。
- 谢光龚威邱二虎傅焰烽李同宁
- 关键词：光交叉连接光开关阵列开关速度隔离度波分复用
- 高性能 2.5Gb/s 用的 DFB-LD/EA 单片集成器件
- 1998年
- 报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ。该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０－１２。
- 李同宁金锦炎杨新民王彩玲刘涛黄涛王任凡吴又生罗毅文国鹏孙长征
- 关键词：DWDM系统光纤通信系统2.5GB/S
- 多量子垒结构的有效势垒分析
- 1998年
- 对多量子垒（ＭＱＢ）的有效垒高与结构上的关系进行了理论研究。讨论了ＭＱＢ有效垒高与阱宽及垒宽的关系，发现随阱宽的增加，ＭＱＢ有效垒高表现出振荡特性；而随垒宽的增加，ＭＱＢ有效垒高趋于Ｕ０，并不具有振荡特性。单ＭＱＢ结构的有效垒高对阱宽较敏感，混合ＭＱＢ更有利于工艺的实现。
- 张哲民黄德修李同宁
- 关键词：激光器
- CO2气体放电理论研究
- 李同宁
- 关键词：二氧化碳气体放电
- 多波长分布反馈激光器阵列
- 2000年
- 介绍了应用于波分复用（WDM）系统的多波长分布反馈（DFB）激光器陈列的理论基础和设计方法。讨论了制作过程中出现的一些问题。
- 陈四海易新建李同宁
- 关键词：光栅波分复用
- 光通信器件:光通信产业的新增长点
- 1999年
- 一、引言 回顾光纤通信的发展历史,光电器件对光信息技术的发展起了制约性的作用,因而光电器件一定要超前发展。在“巴统”没有解除前,我国光电器件的发展速度是较慢的,国内的光纤通信速度一般都限于565Mb/s以下。“巴统”解除后。
- 李同宁
- 关键词：光通信器件光通信产业光纤通信
- 1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析
- 1999年
- 本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器，并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈值电流，ＴＭ模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低，ＴＭ模式的斜率效率和总的斜率效率在一定温度范围内随温度升高而升高．测试了不同电流和温度下的偏振激射谱，两种激射谱随电流和温度改变都有很大变化，表明ＴＥ和ＴＭ激射模式之间有强烈的互作用．我们认为可能是由载流子分布与强激光辐射之间的非线性效应引起的．
- 张哲民金锦炎黄格凡黄德修李同宁
- 关键词：激光器偏振
