王质武
- 作品数：9 被引量：19H指数：2
- 供职机构：深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 稀土铒掺杂氮化铝薄膜的制备及发光特性研究
- 近年来，随着稀土掺杂Ⅲ-V化合物半导体在薄膜电致发光器件、光纤通信和其他光电器件领域的潜在应用，稀土掺杂特别是Er的掺杂引起了世界各国研究机构的重视。材料的禁带宽度越宽，稀土发光的淬灭越弱。作为基质材料，A1N是一种宽禁...
- 王质武
- 关键词：氮化铝薄膜发光特性化合物半导体
- 文献传递
- 硅基氮化铝薄膜的AFM和XPS分析被引量：2
- 2007年
- 在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分。结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°。薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm。薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al—N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比。
- 刘文王质武杨清斗卫静婷
- 关键词：氮化铝直流磁控溅射X射线光电子能谱化学计量比
- 稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
- 介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN：RE)的发光机理及其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂),对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评．综述了近年来国内外稀土掺杂 GaN 的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用...
- 王质武刘文张勇杨清斗卫静婷唐伟群张浩希
- 关键词：稀土氮化镓电致发光平板显示
- 文献传递
- 稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
- 2007年
- 介绍了稀土掺杂氮化镓（GaN：RE）的发光机理及其掺杂的方法（热扩散、离子注入和原位掺杂），对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评，综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。
- 王质武刘文张勇杨清斗卫静婷唐伟群张浩希
- 关键词：稀土氮化镓电致发光平板显示
- 氮化铝薄膜的光学性质(英文)被引量：7
- 2007年
- 采用直流磁控溅射法在石英衬底上制备了氮化铝(AlN)薄膜。用 X 射线衍射仪分析了薄膜结构。利用椭圆偏振仪和紫外/可见/近红外分光光度计对 AlN 薄膜进行了相关光学性能的研究,获得到了薄膜的折射率随波长的色散关系曲线。在波长为 250～1 000 nm,薄膜的折射率为 1.87～2.20。结合透射光谱图,分析了 AlN 薄膜的光学性质。结果表明:利用磁控溅射方法可以获得(100)择优取向 AlN 薄膜;AlN 薄膜在 200～300 nm 远紫外光范围内具有强烈的吸收,在 300～1000 nm 波长范围内具有良好的透过率。透射光谱图计算得到的薄膜厚度(427 nm)与椭圆偏振拟合得到的薄膜厚度(425 nm)一致。
- 刘文王质武杨清斗刘毅卫静婷唐伟群
- 关键词：氮化铝折射率透射光谱
- 铝基板上沉积氮化铝薄膜的制备及特性分析被引量：2
- 2008年
- 采用直流反应磁控溅射方法,在铝基板上制备了AlN薄膜。利用X射线衍射仪、带能量色散谱仪的扫描电子显微镜、阻抗特性测试仪、椭圆偏振光谱仪、大荷载划痕仪等对薄膜特性进行测试,分析了不同溅射工艺条件对生长薄膜的影响。结果表明,获得了化学计量比一致、结合力良好、击穿场强达112V/μm的(100)多晶择优取向AlN薄膜。
- 刘文杨清斗李华平王质武
- 关键词：氮化铝反应磁控溅射X射线衍射化学计量比击穿场强
- 直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜被引量：2
- 2006年
- 采用直流磁控溅射法,A l靶直径75mm,靶基距9 cm,本底真空3×10-5Pa,气体分压N2/Ar=1/3,工作气压0.2Pa,溅射功率72W,溅射时间1h,溅射过程不加热,使其自然升温,在S i(100)衬底上制备A lN薄膜。结合椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了薄膜特性。结果表明,所制备的多晶A lN薄膜厚度为715nm,具有良好的(002)择优取向,其衍射峰半高宽(FWHM)为0.24°。XPS剥蚀260m in后O的原子浓度降为6.24%,A l和N化学剂量比非常接近1:1。A lN薄膜晶粒大小均匀,平均尺寸为35nm左右。表面粗糙度为0.37nm,表面均方根粗糙度为0.49nm,Z轴方向最高突起约3.13nm。
- 王质武刘文杨清斗卫静婷
- 关键词：氮化铝薄膜直流磁控溅射
- 氮化铝薄膜光学常数和结合力测试分析被引量：2
- 2007年
- 用直流磁控溅射方法在硅衬底上制备氮化铝薄膜。X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构和成分;椭圆偏振仪测量并拟合获得AlN薄膜在250～1000nm波长范围内的折射率和消光系数曲线;利用大荷载划痕仪的声发射谱检测方法并结合不同压力下的划痕显微形貌观察得到薄膜临界载荷(结合力)L为29.45N。
- 杨清斗刘文王质武卫静婷
- 关键词：氮化铝薄膜消光系数结合力
- Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量被引量：3
- 2006年
- 通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。
- 卫静婷冯玉春李炳乾杨建文刘文王质武施炜杨清斗
- 关键词：比接触电阻率
