卫静婷
- 作品数：20 被引量：25H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 氮化铝薄膜的光学性质(英文)被引量：7
- 2007年
- 采用直流磁控溅射法在石英衬底上制备了氮化铝(AlN)薄膜。用 X 射线衍射仪分析了薄膜结构。利用椭圆偏振仪和紫外/可见/近红外分光光度计对 AlN 薄膜进行了相关光学性能的研究,获得到了薄膜的折射率随波长的色散关系曲线。在波长为 250～1 000 nm,薄膜的折射率为 1.87～2.20。结合透射光谱图,分析了 AlN 薄膜的光学性质。结果表明:利用磁控溅射方法可以获得(100)择优取向 AlN 薄膜;AlN 薄膜在 200～300 nm 远紫外光范围内具有强烈的吸收,在 300～1000 nm 波长范围内具有良好的透过率。透射光谱图计算得到的薄膜厚度(427 nm)与椭圆偏振拟合得到的薄膜厚度(425 nm)一致。
- 刘文王质武杨清斗刘毅卫静婷唐伟群
- 关键词：氮化铝折射率透射光谱
- GaN基图形衬底模板的制备方法
- 本发明涉及一种GaN基图形衬底模板的制备方法。该方法包括以下步骤：在衬底上生长一层用于氮化物外延生长的GaN基模板；用微球溶液在GaN基模板表面铺设微球，形成单分子层结构的微球层；在衬底上进行金属蒸镀，蒸镀的金属通过微球...
- 张佰君卫静婷饶文涛
- 文献传递
- GaN基LED芯片的制作
- GaN材料及器件近年来成为研究的热点，尤其是GaN基发光二极管(LED)。究其原因，主要是因为GaN蓝绿光LED产品的出现从根本上解决了白光发光二极管三基色的缺色问题。而且LED是节能、环保型光源，具有体积小、冷光源、响...
- 卫静婷
- 关键词：氮化镓比接触电阻率退火温度发光二极管欧姆接触电极
- 文献传递
- 电极形状对蓝宝石衬底GaN基LED的电流扩展的影响
- 为了研究电极形状对蓝宝石衬底GaN基LED的电流扩展色影响.本文建立了一个电流扩展模型来分析器件的电流分布,并用自己做的芯片验证了模型的正确性。
- 黄智聪卫静婷黄善津张佰君王钢
- 关键词：蓝宝石衬底GAN基LED电流模型
- 文献传递
- 一种新型垂直结构的硅基GaN绿光LED
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和...
- 卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
- 关键词：SI衬底绿光LED电流扩展
- 文献传递
- 稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
- 2007年
- 介绍了稀土掺杂氮化镓（GaN：RE）的发光机理及其掺杂的方法（热扩散、离子注入和原位掺杂），对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评，综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。
- 王质武刘文张勇杨清斗卫静婷唐伟群张浩希
- 关键词：稀土氮化镓电致发光平板显示
- 一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
- 2008年
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。
- 卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
- 关键词：硅衬底通孔电流扩展绿光LED
- 基于阳极氧化铝的GaN基图形衬底模板的制作方法
- 本发明涉及一种基于阳极氧化铝的GaN基图形衬底模板的制备方法。该方法包括以下步骤：在衬底上生长一层GaN基模板；在该GaN基膜板上沉积铝层；用在铝层表面铺设微球层；在衬底上进行金属蒸镀；通过超声震动去除单分子层结构的微球...
- 张佰君卫静婷饶文涛
- 文献传递
- 直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜被引量：2
- 2006年
- 采用直流磁控溅射法,A l靶直径75mm,靶基距9 cm,本底真空3×10-5Pa,气体分压N2/Ar=1/3,工作气压0.2Pa,溅射功率72W,溅射时间1h,溅射过程不加热,使其自然升温,在S i(100)衬底上制备A lN薄膜。结合椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了薄膜特性。结果表明,所制备的多晶A lN薄膜厚度为715nm,具有良好的(002)择优取向,其衍射峰半高宽(FWHM)为0.24°。XPS剥蚀260m in后O的原子浓度降为6.24%,A l和N化学剂量比非常接近1:1。A lN薄膜晶粒大小均匀,平均尺寸为35nm左右。表面粗糙度为0.37nm,表面均方根粗糙度为0.49nm,Z轴方向最高突起约3.13nm。
- 王质武刘文杨清斗卫静婷
- 关键词：氮化铝薄膜直流磁控溅射
- 一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层...
- 卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
- 关键词：硅衬底通孔电流扩展绿光LED
- 文献传递
