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秦桂霞

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇淀积
  • 4篇应力
  • 4篇晶体管
  • 4篇局部应力
  • 4篇半导体
  • 3篇氮化硅
  • 3篇退火
  • 3篇热退火
  • 3篇快速热退火
  • 3篇沟道
  • 3篇MOS晶体管
  • 3篇MOS器件
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇氧化法
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇应变SI
  • 2篇气相淀积
  • 2篇小尺寸
  • 2篇流体
  • 2篇流体性质

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇秦桂霞
  • 8篇王向展
  • 4篇李竞春
  • 4篇王微
  • 4篇曾庆平
  • 3篇罗谦
  • 3篇宁宁
  • 1篇于奇

年份

  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种MOS晶体管局部应力的引入技术
一种MOS晶体管局部应力的引入技术，属于半导体器件领域，尤其涉及关于在MOS晶体管栅极下面的沟道区引入局部应力的新技术。它的特征是先将在侧墙形成工艺步骤之后的MOS器件的栅极和侧墙用氮化硅薄膜覆盖，然后在MOS器件的源漏...
王向展秦桂霞罗谦王微李竞春
文献传递
一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法
一种具有高锗(Ge)组分的应变锗硅(SiGe)层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及应变锗硅(SiGe)层的制备。所述方法包括以下步骤：准备硅(Si)衬底；采用传统生长应变Si层的方法在Si衬底上长一层具有少量应变并...
王向展王微秦桂霞曾庆平
文献传递
一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法
一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法，属于半导体器件领域，尤其涉及关于栅的形成方法来记忆浅槽隔离区(STI)引入到金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)沟道区的应力。它的特征是先在MOSFET的栅电极区淀积...
王向展秦桂霞宁宁李竞春
文献传递
一种MOS晶体管局部应力的引入技术
一种MOS晶体管局部应力的引入技术，属于半导体器件领域，尤其涉及关于在MOS晶体管栅极下面的沟道区引入局部应力的新技术。它的特征是先将在侧墙形成工艺步骤之后的MOS器件的栅极和侧墙用氮化硅薄膜覆盖，然后在MOS器件的源漏...
王向展秦桂霞罗谦王微李竞春
一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法
一种具有高锗(Ge)组分的应变锗硅(SiGe)层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及应变锗硅(SiGe)层的制备。所述方法包括以下步骤：准备硅(Si)衬底；采用传统生长应变Si层的方法在Si衬底上长一层具有少量应变并...
王向展王微秦桂霞曾庆平
应变硅能带与新型硅基MOS器件结构研究
将近五十年前,Intel公司创始人之一的Gordon Moore发现,每个IC芯片上晶体管的集成度都以每18个月翻一番的速度增加,该论断被称为“摩尔定律”。业界一直通过等比例缩小器件尺寸,来提高器件的性能。但实际上,由于...
秦桂霞
关键词：应变硅
文献传递
一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法
一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法，涉及半导体材料中应变增强晶体管结构及制作方法，特别是DRAM存储单元的结构及制作方法。本发明提供的DRAM存储单元包含有开关MOS晶体管9和单元电容10，其特征在于在单元电容...
王向展于奇宁宁秦桂霞曾庆平
文献传递
一种应力稳定的MOS晶体管的栅的制造方法
一种应力稳定的MOS晶体管的栅的制造方法，属于半导体器件领域，尤其涉及关于MOS晶体管的栅的制造方法，来固定锗硅源漏或锗硅虚拟衬底引入到MOS晶体管沟道区的应力。它的特征是先在MOS晶体管的栅电极区域淀积原子无序排列的硬...
王向展罗谦秦桂霞曾庆平
文献传递
一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法
一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法，属于半导体器件领域，尤其涉及关于栅的形成方法来记忆浅槽隔离区(STI)引入到金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)沟道区的应力。它的特征是先在MOSFET的栅电极区淀积...
王向展秦桂霞宁宁李竞春
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