您的位置: 专家智库 > >

艾斌

作品数:33 被引量:23H指数:4
供职机构:中山大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省战略性新兴产业核心技术攻关项目广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域:电气工程理学一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 16篇电池
  • 14篇太阳电池
  • 11篇硅薄膜
  • 9篇多晶
  • 9篇多晶硅
  • 7篇多晶硅薄膜
  • 6篇硅片
  • 5篇晶体硅
  • 5篇晶体硅太阳电...
  • 5篇计算机
  • 5篇硅太阳电池
  • 4篇氮化硅
  • 4篇低阻
  • 4篇电极
  • 4篇接口
  • 4篇计算机接口
  • 4篇光衰
  • 4篇测量系统
  • 3篇钝化
  • 3篇少子寿命

机构

  • 33篇中山大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇北京太阳能研...

作者

  • 33篇艾斌
  • 19篇沈辉
  • 13篇邓幼俊
  • 8篇贾晓洁
  • 5篇曾湘安
  • 4篇刘超
  • 2篇段春艳
  • 2篇刘超
  • 2篇杨江海
  • 2篇许欣翔
  • 2篇梁宗存
  • 1篇洪瑞江
  • 1篇莫党
  • 1篇李军勇
  • 1篇李明华
  • 1篇曾学然
  • 1篇梁齐兵
  • 1篇邓润坤
  • 1篇付冲
  • 1篇张陆成

传媒

  • 4篇中山大学学报...
  • 2篇物理学报
  • 2篇第13届中国...
  • 1篇科学通报
  • 1篇三门峡职业技...
  • 1篇中国科学:技...

年份

  • 2篇2021
  • 3篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2004
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种光暗电导率及激活能测量系统和方法
本发明涉及光暗电导率及激活能测量系统和方法,该系统包括:计算机、样品室、带有电磁压差阀的机械泵、带有计算机接口的精密温度控制仪、带有计算机接口的中低阻数字欧姆计、带有计算机接口的高阻数字欧姆计、与所述充气口相连的惰性气体...
艾斌孔光临
文献传递
一种太阳电池背面处理方法
本发明公开了一种太阳电池背面处理方法,包括以下步骤:1)采用磁控溅射的方法在多晶硅片的一面镀上铝膜;2)对上述镀上铝膜后的多晶硅片进行酸制绒;3)采用离子注入的方法对制绒后的硅片进行磷扩散;4)扩散后的硅片进行退火;5)...
赖键均艾斌贾晓洁许欣翔杨江海
文献传递
氢气氛下退火对多晶硅薄膜太阳电池性能的影响
本文进行了氢气氛下退火对多晶硅薄膜太阳电池钝化效果的研究。结果表明,经过氢退火之后,大部分太阳电池的填充因子FF和效率η都下降了;少数效率增加的电池则呈现出共同的特征,即短路电流I和填充因子FF都增加了,但开路电压V却略...
艾斌沈辉丁孔贤励旭东许颖王文静廖显伯
关键词:多晶硅薄膜太阳能电池钝化
文献传递
选择性发射极晶体硅太阳电池的二维器件模拟及性能优化被引量:7
2014年
利用PC2D二维模拟软件对选择性发射极晶体硅太阳电池(SE电池)进行了器件模拟和参数优化的研究.在对丝网印刷磷浆法制备的SE电池的实测典型电流-电压曲线实现完美拟合的基础上,全面系统地研究了栅线、基区、选择性发射区和背表面场层等的参数对电池性能的影响.模拟表明:基区少子寿命、前表面复合速度和背表面复合速度是对电池效率影响幅度最大的三个参数.在所研究的参数范围内,当基区少子寿命从50μs上升到600μs时,电池效率从18.53%上升到19.27%.低的前表面复合速度是使发射区方块电阻配比优化有意义的前提.要取得理想的电池效率,背表面复合速度需控制在500 cm/s以下.此外,对于不同的前表面复合速度,电池效率的最大值总是在50—90Ω/□的重掺区方阻、110—180Ω/□的轻掺区方阻的范围内取得.对不同的栅线数目,重掺区宽度与栅线间距之比为32%时,电池的效率最高.另外,在主栅结构保持较低面积比率的前提下,主栅数目的增加也可提高效率.最后,通过优化p型SE电池的效率可达到20.45%.
贾晓洁艾斌许欣翔杨江海邓幼俊沈辉
关键词:选择性发射极参数优化太阳电池
一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置
本实用新型公开了一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置,包括边框、探针条、导电金属片和金属探针;边框为绝缘绝热材质且两边都设置有第一安装孔的矩形边框;边框下方设置有若干个探针条;探针条为长条形的金属板,探针条的中间...
艾斌叶家兴沈辉
文献传递
WT-2000少子寿命测试仪的原理及性能
本文详细介绍了WT-2000进行各项目测量的工作原理,即分别对以下方法和原电压(SPV)法,用于体电阻率测量的涡流(Eddy)法以及利用表面反射率、光束诱导电流(LBIC)测量结果获得太阳电池量子效率(QE)和材料扩散长...
艾斌沈辉邓幼俊
关键词:少子寿命方块电阻
文献传递
一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法
本发明公开了一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法。该制备工艺方法采用PECVD,在硅片表面沉积一层二氧化硅膜,再在做好的二氧化硅膜上沉积一层折射率较高的氮化硅层,最后在高折射率氮化硅层上再沉积一层折射率较低的氮化硅层...
艾斌赖键均贾晓洁叶雄新梁杭伟吴含封
文献传递
硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究被引量:2
2014年
研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。
曾湘安艾斌邓幼俊沈辉
关键词:表面钝化稳定性少子寿命硅片
RTCVD沉积的多晶硅薄膜的电学性质
本文对快速热化学气相沉积法(RTCVD)制备在石英衬底、单晶硅片和多晶硅带上的多晶硅薄膜的电学性质进行了研究。在实验方面,我们用激活能测量、室温及变温Hall效应测量和电子束诱导电流(EBIC)测量等技术研究了多晶硅薄膜...
艾斌
关键词:多晶硅薄膜电学性质
文献传递
一种新型正面栅线电极网版
本实用新型公开了一种新型正面栅线电极网版,包括细栅和主栅,所述主栅具有若干行线,每一行线是由若干线段组成;每个主栅线段之间采用若干段细栅相连;每段主栅线的中间位置设有均匀分布不同尺寸孔径的圆孔。本实用新型的正面栅线电极网...
赖键均艾斌曾湘安祁嘉铭付冲李彪
文献传递
共4页<1234>
聚类工具0