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选择性发射极晶体硅太阳电池的二维器件模拟及性能优化: 利用PC2D二维模拟软件对选择性发射极晶体硅太阳电池进行了器件模拟和参数优化的研究.为了使模拟结果更具可信度,首先对丝网印刷磷浆法制备的选择性发射极晶体硅太阳电池(SE电池)的典型I-V曲线进行了完美拟合.然后,以此SE...; 贾晓洁艾斌许欣翔邓幼俊沈辉; 关键词：光电性能计算机模拟结构优化; 文献传递

一种太阳电池背面处理方法: 本发明公开了一种太阳电池背面处理方法，包括以下步骤：1）采用磁控溅射的方法在多晶硅片的一面镀上铝膜；2）对上述镀上铝膜后的多晶硅片进行酸制绒；3）采用离子注入的方法对制绒后的硅片进行磷扩散；4）扩散后的硅片进行退火；5）...; 赖键均艾斌贾晓洁许欣翔杨江海; 文献传递

选择性发射极晶体硅太阳电池的器件模拟及性能优化的研究: 性发射极结构为二维电池结构,这意味着传统的一维模拟软件已经不再适用了.本文使用PC2D二维模拟软件对选择性发射极晶体硅太阳电池进行了器件模拟和参数优化.为了使模拟结果更加接近真实的情况,采用了更符合实际情况的器件结构和根...; 贾晓洁艾斌邓幼俊沈辉; 关键词：电学性能计算机模拟结构优化

一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法: 本发明公开了一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法。该制备工艺方法采用PECVD，在硅片表面沉积一层二氧化硅膜，再在做好的二氧化硅膜上沉积一层折射率较高的氮化硅层，最后在高折射率氮化硅层上再沉积一层折射率较低的氮化硅层...; 艾斌赖键均贾晓洁叶雄新梁杭伟吴含封; 文献传递

样品做一维精密平动实现二维激光SLS晶化的方法: 本发明公开了一种样品做一维精密平动实现二维激光SLS晶化的方法，包括以下步骤：1）提供一种多点激光掩膜，该激光掩膜具有a(h)×n个半径r为10～25μm的掩膜孔，配合单位速度为d的y轴一维精密平移台一同使用；2）设计掩...; 贾晓洁刘超艾斌邓幼俊沈辉; 文献传递

选择性发射极晶体硅太阳电池的二维器件模拟及性能优化被引量：7: 2014年; 利用PC2D二维模拟软件对选择性发射极晶体硅太阳电池(SE电池)进行了器件模拟和参数优化的研究.在对丝网印刷磷浆法制备的SE电池的实测典型电流-电压曲线实现完美拟合的基础上,全面系统地研究了栅线、基区、选择性发射区和背表面场层等的参数对电池性能的影响.模拟表明:基区少子寿命、前表面复合速度和背表面复合速度是对电池效率影响幅度最大的三个参数.在所研究的参数范围内,当基区少子寿命从50μs上升到600μs时,电池效率从18.53%上升到19.27%.低的前表面复合速度是使发射区方块电阻配比优化有意义的前提.要取得理想的电池效率,背表面复合速度需控制在500 cm/s以下.此外,对于不同的前表面复合速度,电池效率的最大值总是在50—90Ω/□的重掺区方阻、110—180Ω/□的轻掺区方阻的范围内取得.对不同的栅线数目,重掺区宽度与栅线间距之比为32%时,电池的效率最高.另外,在主栅结构保持较低面积比率的前提下,主栅数目的增加也可提高效率.最后,通过优化p型SE电池的效率可达到20.45%.; 贾晓洁艾斌许欣翔杨江海邓幼俊沈辉; 关键词：选择性发射极参数优化太阳电池

一种降低单耗的正面栅线电极网版: 本实用新型公开了一种降低单耗的正面栅线电极网版，包括细栅和主栅，所述主栅具有若干行线，每一行线是由若干线段组成；每个主栅线段之间采用若干段细栅相连；每段主栅线的中间位置设有台阶状镂空。本实用新型的正面栅线电极网版可降低浆...; 赖键均艾斌贾晓洁孙小菩陈浩; 文献传递

样品做一维精密平动实现二维激光SLS晶化的方法: 本发明公开了一种样品做一维精密平动实现二维激光SLS晶化的方法，包括以下步骤：1）提供一种多点激光掩膜，该激光掩膜具有a(h)×n个半径r为10～25μm的掩膜孔，配合单位速度为d的y轴一维精密平移台一同使用；2）设计掩...; 贾晓洁刘超艾斌邓幼俊沈辉; 文献传递

一种太阳电池背面处理方法: 本发明公开了一种太阳电池背面处理方法，包括以下步骤：1）采用磁控溅射的方法在多晶硅片的一面镀上铝膜；2）对上述镀上铝膜后的多晶硅片进行酸制绒；3）采用离子注入的方法对制绒后的硅片进行磷扩散；4）扩散后的硅片进行退火；5）...; 赖键均艾斌贾晓洁许欣翔杨江海; 文献传递

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贾晓洁