邢哲
- 作品数：8 被引量：13H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- ULSI制备中SiO_2介质表面状态的研究
- 刘玉岭檀柏梅李薇薇张楷亮张存善邢哲张德臣张志花李湘都
- ULSI制备中介质CMP机理的研究还在定性的阶段，人们还缺少有关定量方面的知识。我们通过大量实验优化了CMP工艺，系统的研究CMP工艺过程参数，提出了介质CMP化学作用模型，通过增加化学作用，提高抛光速率，加入表面活性剂...
- 关键词：
- 关键词：ULSI化学机械全局平面化
- ULSI铜多层布线中钽阻挡层CMP抛光液的研究与优化被引量：2
- 2004年
- 以高浓度纳米 Si O2 水溶胶为磨料 ,H2 O2 为氧化剂的碱性抛光液 ,研究了适用于终抛铜 /钽的 CMP抛光液 .通过调节 p H值 ,降低抛光液的氧化 ,增强有机碱的作用 ,来降低铜的去除速率并提高钽的去除速率 ,得到了很好的铜 /钽抛光选择性 .
- 邢哲刘玉岭檀柏梅王新李薇薇
- 关键词：多层布线化学机械抛光阻挡层抛光液
- 超大规模集成电路工艺应用中的超纯水
- 超纯水中杂质的含量,会影响材料和器件的性能和成品率,随着微电子技术的高速发展,对所用水的纯度要求也越来越高.本文分析了超纯水制备中急待解决的水质项目,阐述了高质量超纯水制备中的新技术.
- 刘玉岭邢哲檀柏梅李薇薇
- 关键词：超大规模集成电路超纯水微电子技术
- 文献传递
- 碱性抛光液在CMP过程中对低k介质的影响被引量：2
- 2012年
- 以p型<111>硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化。实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以及新型抛光液对低k材料进行抛光后,利用电参数仪对低k材料进行电性能测试。结果显示,低k材料介电常数经pH值为7.09新型抛光液抛光后,k值由2.8变为2.895,漏电流在3.35 pA以下,去除速率为59 nm/min。经新型抛光液抛光后的低k材料,在电学性能等方面均优于阻挡层抛光液和Cu抛光液,抛光后的低k材料的性能能够满足应用要求。
- 王立冉邢哲刘玉岭胡轶刘效岩
- 关键词：低K材料化学机械抛光抛光液
- GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究被引量：2
- 2012年
- 钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一。首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理;接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂对W-CMP速率的影响。最后通过正交优化实验,确定抛光液最优配比为V(纳米SiO2水溶胶)∶V(去离子水)=1∶1,氧化剂体积分数为20 mL/L,pH调节剂体积分数为4 mL/L,表面活性剂体积分数为20 mL/L时,此时抛光液的pH值为10.36,获得的去除速率为85 nm/min,表面粗糙度为0.20 nm。
- 林娜娜邢哲刘玉岭孙鸣刘利宾
- 关键词：化学机械抛光碱性抛光液去除速率
- 半导体器件硅衬底化学机械平坦化研究被引量：1
- 2011年
- 主要对分立器件硅衬底化学机械平坦化(CMP)进行了研究。首先通过正交实验方法研究活性剂、螯合剂、磨料浓度和有机碱对硅材料去除速率的影响,得出活性剂体积分数对去除速率的影响最大,并且研究出去除速率最快的抛光液的最优配比,去除速率可以达1 410nm/min。同时平坦化后的硅衬底具有良好的表面状态:表面粗糙度仅为0.469nm,表面总厚度变化小于工业标准指标5μm。在考虑工艺影响的情况下,硅衬底制造双极型晶体管的成品率达到90%以上,满足工业成品率要求。
- 杨立兵王胜利邢哲孙鸣王辰伟王娜
- 关键词：抛光液分立器件
- ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化被引量：6
- 2004年
- 分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。
- 刘玉岭邢哲檀柏梅王新李薇薇
- 关键词：化学机械抛光CMP多层布线ULSI
- MOFs/金属硫化物基复合材料的构筑及其光催化性能的研究
- 随着我国工业化进程的不断推进，高速度工业化逐渐向高质量工业化转变，作为高质量工业化的重要组成的可持续工业化显得尤为关键。而工业用水作为工业生产的基本保障，如何高效处理和利用工业废水成为各行业关注的焦点。光催化技术是一种新...
- 邢哲
- 关键词：复合材料硫化物光催化性能工业废水
