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陈雪兰

作品数：7 被引量：5H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇势垒
  • 5篇肖特基
  • 4篇4H-SIC
  • 3篇肖特基势垒
  • 3篇二极管
  • 2篇导体
  • 2篇势垒高度
  • 2篇碳化硅
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇金属
  • 2篇金属半导体
  • 2篇金属半导体场...
  • 2篇禁带
  • 2篇宽禁带
  • 2篇宽禁带半导体
  • 2篇半导体
  • 2篇SIC_ME...
  • 2篇FET
  • 2篇MESFET
  • 2篇场效应

机构

  • 7篇南京电子器件...
  • 2篇南京大学

作者

  • 7篇陈雪兰
  • 7篇陈刚
  • 6篇柏松
  • 6篇李哲洋
  • 3篇陈征
  • 3篇冯忠
  • 3篇汪浩
  • 2篇张涛
  • 2篇蒋幼泉
  • 1篇吴鹏
  • 1篇刘六亭
  • 1篇邵凯
  • 1篇韩平

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇2006全国...
  • 1篇全国第十二届...

年份

  • 5篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究被引量：2
2008年
在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm SiC MESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。
陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响被引量：2
2008年
研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度=0.87eV,击穿电压在650V。
陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平
关键词：4H-SIC肖特基二极管势垒高度
Ni，Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管被引量：1
2007年
采用本实验室生长的4H-SiC外延片,分别用高真空电子束蒸Ni和Ti做肖特基接触金属,Ni合金作欧姆接触,SiO_2绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术,制作出4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。该器件在室温下反向击穿电压大于600 V,对应的漏电流为2.00×10^(-6)A。对实验结果分析显示,采用Ni和Ti作肖特基势垒的器件的理想因子分别为1.18和1.52,肖特基势垒高度为1.54 eV和1.00 eV。实验表明,该器件具有较好的正向整流特性。
汪浩柏松陈刚李哲洋刘六亭陈雪兰邵凯
关键词：碳化硅肖特基势垒二极管击穿电压
大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究
本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、...
陈刚蒋幼泉李哲洋张涛吴鹏冯忠汪浩陈征陈雪兰柏松
关键词：金属半导体场效应管微波技术宽禁带半导体
文献传递
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的S...
陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平
关键词：4H-SIC肖特基二极管势垒高度
文献传递
S波段4W SiC MESFET器件研制
本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2GHz频率连续波...
陈刚柏松张涛汪浩李哲洋陈雪兰蒋幼泉
关键词：碳化硅金属半导体场效应管宽禁带半导体微波性能
文献传递
4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究
在4H-SiC MESFE微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不...
陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松
文献传递
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