奚雪梅
- 作品数：28 被引量：29H指数：4
- 供职机构：加州大学更多>>
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- 亚微米CMOS/SOI(SIMOX)器件模型,电路模型及其制备
- 奚雪梅
- 关键词：浮体效应
- 适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDS SOI MOSFET器件模型被引量：1
- 1996年
- 本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电流电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。模型计算结果与实验曲线吻合较好。同时，本电流模型将本征ＭＯＳＦＥＴ模型与ＬＤＤ／ＬＤＳ区分开，形式简洁，参数提取方便，便于移植入电路模拟程序中。
- 奚雪梅王阳元
- 关键词：半导体集成电路
- 薄膜SOI/CMDS的SPICE电路模拟
- 奚雪梅
- 关键词：电路模拟
- 短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究
- 1996年
- 通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧化层、ＣｏＳｉ２／多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件辐照特性的影响，最后得到了薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗核加固方案．
- 张兴奚雪梅王阳元
- 关键词：CMOS/SOI器件半导体器件
- 超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究
- 1995年
- 在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明，采用ＴＣｏ：ＴＳｉ≈１：３．６的近似方法优化粘膜厚度，会得到薄层电阻最低的硅化接触，改善其接触特性。
- 奚雪梅徐立闫桂珍孟宪馨李映雪王阳元
- 关键词：SOI自对准硅化物厚度最佳化
- 退火方式和气氛对SIMOX材料质量的影响
- 1995年
- 本文较为详细地研究了退火程序、退火气氛和注人方式对ＳＩＭＯＸ材料质量的影响，结果表明，采用二重或三重注人并在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面和高质量的表面硅层。
- 李映雪王兆江张兴奚雪梅王阳元姚淑德林成鲁
- 关键词：退火SIMOX硅
- 短沟道CMOS／SIMOX器件与电路的制造
- 1995年
- 本文简要介绍短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件与电路的研制。在自制的ＳＩＭＯＸ材料上成功地制出了沟道长度为１．０μｍ的高性能全耗尽ＳＩＭＯＸ器件和１９级ＣＭＯＳ环形振荡器。Ｎ管和Ｐ管的泄漏电流均小于１×１０－１２Ａ／μｍ，在电源电压为５Ｖ时环振电路的门延迟时间为２８０ｐｓ。
- 张兴李映雪奚雪梅王阳元石涌泉
- 关键词：CMOS器件集成电路
- 自对准硅化物SOI／CMOS技术研究
- 1995年
- 在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实．验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间．提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。
- 徐立奚雪梅武国英李映雪王阳元
- 关键词：自对准硅化物SOICMOS集成电路
- SOI技术占领市场还有待时日
- 1998年
- 1997年国际SOI（绝缘层上的硅）会议于10月6～9日在美国加利福尼亚州召开,有200余名学者与会。会上发表论文90余篇,内容涉及材料制备与表征,器件物理,模型模拟,电路制造与应用等方面。 1 SOI材料制备主要是SIMOX和硅片键合两种材料的质量改善。日本Komatsu Electronic Metals公司对SIMOX材料在过去ITOX（Internal Thermal Oxidation）新工艺的基础上提出了低注入剂量2.8×1017cm-2,传统注入剂量为1.8×1018cm-2.美Sandia Lab加H2气氛（5%H2+95%N2）退火来减小埋氧化层泄漏电流。在Unibond技术中,Bell Lab提出了一个多种离子共注入引起硅内空洞的机制。也有分析SOI材料缺陷特征,并提出增加B+注入来降低Si片裂开的温度,但所有工作仍是在SOI材料的改进上。
- 奚雪梅
- 关键词：半导体材料硅片SOI技术
- 退火气氛对SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影响被引量：3
- 1996年
- 利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面，而在纯Ｎ２气氛中退火，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面极不平整，且界面附近晶体质量较差．本文分析了造成这种结果的原因．
- 李映雪奚雪梅王兆江张兴王阳元林成鲁
- 关键词：SIMOX材料硅二氧化硅退火
