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郭星

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇KINK效应

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇曹梦逸
  • 1篇廖雪阳
  • 1篇陈伟伟
  • 1篇郭星
  • 1篇马晓华
  • 1篇马骥刚
  • 1篇李文雯
  • 1篇郝跃
  • 1篇张会龙
  • 1篇张凯

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型被引量：2
2012年
初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电流的变化量.最后,我们采用模型仿真结合实验分析的方法,对kink效应进行了一定的物理研究,结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.
马骥刚马晓华张会龙曹梦逸张凯李文雯郭星廖雪阳陈伟伟郝跃
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管KINK效应
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