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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇氧化膜
  • 1篇凝胶体
  • 1篇校准
  • 1篇芯片
  • 1篇厚度测量
  • 1篇封装
  • 1篇封装结构
  • 1篇板上芯片
  • 1篇
  • 1篇传感

机构

  • 2篇天水华天科技...

作者

  • 2篇张运娟
  • 2篇张胡军
  • 1篇慕蔚
  • 1篇何文海
  • 1篇周建国
  • 1篇高睿
  • 1篇杨文杰

传媒

  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
铜框架表面氧化过程及氧化膜厚度测量被引量:1
2014年
在集成电路封装过程中,表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因,而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点。本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的氧化膜厚度,通过对测量数据拟合得到铜框架氧化膜生长曲线,从而可以预测铜框架在封装过程中的氧化程度,为集成电路封装工艺的设计和管控提供依据。
张运娟张胡军何文海高睿
一种MEMS压力传感校准模块的板上芯片封装结构
本实用新型提供了一种MEMS压力传感校准模块的板上芯片封装结构,包括粘接有MEMS芯片、ASIC芯片和筒形围坝的PCB电路板;两个芯片均通过多条焊线与PCB电路板电连接,MEMS芯片位于围坝内,围坝内有可传导应力的凝胶体...
张胡军张运娟周建国杨文杰慕蔚邵荣昌
文献传递
共1页<1>
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