徐环
- 作品数：7 被引量：25H指数：2
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信核科学技术更多>>
- 两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较
- CuInSe2(CIS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及多样的制备方法,二十多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注.本文采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空...
- 林飞燕秦娟徐环史伟民魏光普
- 关键词：铜铟硒薄膜太阳电池
- 文献传递
- 非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能被引量：5
- 2008年
- 采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率。通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEMI、-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征,结果表明,获得了沿〈001〉晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×1011Ω.cm、相对介电常数为5.53的薄膜。
- 郑耀明史伟民魏光普秦娟徐环
- 关键词：多晶非晶硅物理气相沉积
- 两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较
- 2007年
- 采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)分别制备了太阳电池吸收层材料CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散X射线分析技术等分析手段对薄膜进行了表征。结果表明:两种方法制备的薄膜形貌都比较致密均匀,晶粒直径分别约1.5μm和约1μm。组分分析表明所制薄膜均为富铜CIS。硒化法制备的CIS薄膜具有单一的黄铜矿相结构;而叠层法制备的薄膜含有少量杂相,如-βIn2Se3等。因此硒化法制备的薄膜更适于作为太阳能吸收层材料。
- 林飞燕秦娟徐环史伟民魏光普
- 关键词：铜铟硒薄膜太阳电池
- 多晶碘化汞探测器的制备及性能被引量：2
- 2007年
- 碘化汞(HgI2)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率。制备了多晶HgI2探测器,结果显示所得器件在室温下对5.9 keV的55Fe X射线和5.5 MeV的241Amα粒子具有较好的能量分辨率,分别为0.24 keV和0.72 MeV(未使用准直器)。
- 徐环史伟民雷平水林飞燕郭余英
- 关键词：探测器多晶能量分辨率
- 硅基碘化汞多晶厚膜的生长及其探测器的初步研究
- 碘化汞(HgI<,2>)晶体是一种性能优异的新型室温半导体核辐射探测器材料。其电阻率高(约10<'13>Ω-cm)、原子序数大(Hg=80，I=53)、禁带宽度较大，在室温下对X-射线、γ-射线能量分辨率好。用它可制成体...
- 徐环
- 关键词：非晶硅核辐射探测器表面处理
- 文献传递
- 真空蒸发物理气相沉积薄膜生长装置
- 本实用新型涉及一种真空蒸发气相沉积薄膜生长装置，属物理气相沉积技术领域。本实用新型的装置主要包括有一种罩形玻璃容器(9)，其上部为烧有钨丝的玻璃顶盖(11)，两者结合处设置有密封圈凹槽(10)；容器(9)底部有一盛放源料...
- 史伟民郑耀明徐环
- 文献传递
- 真空蒸发法制备SnS薄膜及其光电性能研究被引量：18
- 2006年
- 采用真空蒸发法，在载玻片上制备了SnS薄膜。分析表明，此法制备的SnS薄膜的导电类型为P型，在（111）晶面上有很强的择优取向；其晶粒呈棒状，平均长度约为0．2～0．3μm，薄膜中的S与Sn原子非常接近化学计量比，在吸收边附近薄膜的吸收系数约为10^5cm^-1，光学能隙Eg约为1．35eV，电阻率约为240Ω·cm，比其它方法制备的SnS薄膜，其在光学与电学性能上有较大的改善，更适合做薄膜太阳能电池的吸收层。成功制备出了ITO／p-SnS／n-Si／Ag结构的太阳电池，其光电转换效率达0．71％。
- 邱永华史伟民魏光普徐环林飞燕
- 关键词：SNS太阳电池
