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秦娟

作品数：17 被引量：14H指数：2
供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇溅射
  • 5篇电池
  • 4篇热电
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇多晶
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇太阳电池
  • 2篇铜铟硒
  • 2篇铜铟硒薄膜
  • 2篇退火
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米复合薄膜
  • 2篇纳米硅
  • 2篇激光
  • 2篇溅射法
  • 2篇溅射法制备
  • 2篇非晶硅

机构

  • 17篇上海大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇上海芯歌智能...

作者

  • 17篇秦娟
  • 14篇史伟民
  • 5篇王林军
  • 4篇魏光普
  • 4篇王国华
  • 3篇夏义本
  • 3篇徐环
  • 2篇廖阳
  • 2篇伍丽
  • 2篇陈振一
  • 2篇金晶
  • 2篇钱隽
  • 2篇李季戎
  • 2篇林飞燕
  • 2篇吴纯清
  • 2篇王漪
  • 2篇陈盛
  • 1篇张敏
  • 1篇张兆春
  • 1篇汪辉

传媒

  • 4篇上海大学学报...
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇物理学报
  • 1篇激光杂志
  • 1篇半导体光电
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 5篇2013
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ti,N共掺杂4H-SiC复合增强缓冲层生长及其对PiN二极管正向性能稳定性的改善
2021年
"双极型退化"现象严重阻碍了4H-SiC双极型器件如PiN二极管等的产品化,其微观机理是电子-空穴复合条件下层错由基面位错处的扩展.为遏制"双极型退化"现象,不仅要消除漂移层中的基面位错,还需要通过生长复合增强缓冲层的方法阻止少子空穴到达含高密度基面位错片段的外延层/衬底界面.本文采用钛、氮共掺杂的方式进行缓冲层的生长,通过钛掺杂进一步降低缓冲层中的少子寿命.首先确定了钛掺杂浓度和钛源摩尔流量之间的定量关系,在此基础上制备了含钛、氮共掺杂缓冲层结构的4H-SiC PiN二极管,并在正向电流密度100 A/cm^2的条件下保持10 min,测量其正向压降随时间的变化.与无缓冲层结构、仅含高浓度氮掺杂缓冲层结构的4H-SiC PiN二极管相比,含钛、氮共掺杂缓冲层的二极管的正向压降稳定性得到了明显改善.
李传纲鞠涛张立国李杨张璇秦娟张宝顺张泽洪
关键词：4H-SIC
一种CdS/SiO<Sub>2</Sub>纳米透明复合薄膜的制备方法
本发明采用CdS/SiO<Sub>2</Sub>共溅射法，射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜，属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较，具有快速、低温，以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优...
秦娟王国华陈振一廖阳李季戎钱隽史伟民孙纽一
文献传递
磁控溅射法制备Half-Heusler化合物半导体TiCoSb薄膜
2013年
设计一种特别的TiCoSb复合靶材,通过调节各元素在复合靶材上所占面积的大小,可以方便地调节薄膜的成分.采用这种靶材,利用直流磁控溅射和快速退火成功制备单一物相的多晶TiCoSb薄膜;采用X射线衍射(X-raydiffraction,XRD)和原子力显微镜(atomic force microscopy,AFM)分析TiCoSb薄膜的结构和表面形貌;利用Hall测试仪初步研究薄膜的电学性质.结果表明,所制备的TiCoSb薄膜对石英玻璃衬底具有良好的粘附力,薄膜均匀致密.经600℃,5 min退火的TiCoSb薄膜的结晶质量较好,薄膜的室温电导率为13.7 S/cm.
张敏秦娟孙钮一张小丽史伟民
关键词：热电磁控溅射退火
用于化物钙钛矿器件的系统级电学性能测试装置
本发明公开了一种用于卤化物钙钛矿器件的系统级电学性能测试装置，提供真空测试条件，提供不同温度测试条件，减少器件的拆取，减少夹具对器件的损失，将测试系统与数据采集进行自动化处理。所述测试装置包括真空装置、夹具装置、测试仪器...
徐闰易永胜曹港林婧蔡建聪朱家杰王文贞秦娟赖建明王林军
文献传递
非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能被引量：5
2008年
采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率。通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEMI、-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征,结果表明,获得了沿〈001〉晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×1011Ω.cm、相对介电常数为5.53的薄膜。
郑耀明史伟民魏光普秦娟徐环
关键词：多晶非晶硅物理气相沉积
两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较
2007年
采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)分别制备了太阳电池吸收层材料CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散X射线分析技术等分析手段对薄膜进行了表征。结果表明:两种方法制备的薄膜形貌都比较致密均匀,晶粒直径分别约1.5μm和约1μm。组分分析表明所制薄膜均为富铜CIS。硒化法制备的CIS薄膜具有单一的黄铜矿相结构;而叠层法制备的薄膜含有少量杂相,如-βIn2Se3等。因此硒化法制备的薄膜更适于作为太阳能吸收层材料。
林飞燕秦娟徐环史伟民魏光普
关键词：铜铟硒薄膜太阳电池
激光晶化非晶硅薄膜的表面机理研究被引量：2
2010年
采用PECVD工艺在普通玻璃衬底上制备非晶硅薄膜,用波长为532nm的倍频Nd:YAG激光对非晶硅薄膜的表层进行了晶化。研究了激光能量密度对非晶硅薄膜表面结晶度以及晶粒大小的影响,并对晶化后的非晶硅表面形貌进行了表征。研究结果表明:该非晶硅薄膜晶化的阈值能量密度为800 mJ/cm^2,当激光能量密度大于该值时,晶化效果反而变差。同时经过拉曼光谱表征,经由高斯拟合和数值计算得出薄膜结晶度在45%～60%之间,平均晶粒尺寸在30～50nm。
陈盛史伟民金晶秦娟王漪夏义本
关键词：等离子体化学气相沉积激光晶化纳米硅
用于精密测量的激光3D检测系统标定模型被引量：3
2019年
参数标定是激光3D检测系统获得精确测量结果的重要步骤之一。为了解决传统三维数据标定算法复杂,检测步骤繁琐的问题,提出了一种基于自定义标准靶标的标定模型,首先设计标准立体靶标的形状,拍摄出编码器移动平台上立体靶标的光条图像;其次利用基于形态骨架的方向模板法对光条图像进行中心线提取,得到光条中心线上的图像像素坐标点;然后结合编码器的已知参数及立体靶标的几何参数,生成三维点云数据中x-y-z方向坐标点与靶标三维尺寸的映射关系;最后根据映射关系生成参数查找表,从而实现对三维数据的标定。实验结果表明,该系统能够准确获取被测物体三维轮廓,空间测量误差小于0. 1%,标定重复性较好,因此可用于精密三维轮廓稳定测量。
于溪刘建祝永新秦娟汪辉
关键词：中心线提取
一种SiO<Sub>2</Sub>包覆的CdS量子点纳米复合薄膜的制备方法
本发明涉及用溶胶凝胶过程，制备SiO<Sub>2</Sub>包覆的CdS量子点纳米复合薄膜，属半导体纳米复合薄膜制备技术领域。主要解决了包覆后CdS量子点，具良好的分散性，改善发光效率及耐腐蚀性等。具体步骤是以硝酸镉，硫...
秦娟王国华陈振一廖阳李季戎钱隽史伟民孙纽一
文献传递
ZnO／SnS复合薄膜的制备及其光伏性能被引量：1
2010年
利用n型氧化锌和p型硫化亚锡制备ITO/ZnO/SnS/Al结构的pn结太阳能电池.首先采用射频磁控溅射法在ITO衬底上制备ZnO薄膜,再用真空蒸发镀膜法沉积SnS薄膜以形成异质结,并利用X射线衍射(X-raydiffraction,XRD)光谱、透射光谱和I-V曲线来表征薄膜和器件的性能.讨论在不同溅射功率和工作气压下制备的ZnO薄膜对光吸收情况和所形成异质结器件的影响,测量不同沉积时间制备的ZnO薄膜相应的器件的开路电压、短路电流密度和填充因子.结果表明,当工作气压和溅射功率分别为0.2 Pa和150 W,沉积时间为40 min时得到的ZnO薄膜能获得较好的异质结且器件的性能达到最优化.该最优器件的短路电流密度JSC为1.38 mA.cm-2,开路电压V为0.42 V,填充因子F为0.40.
伍丽史伟民张兆春秦娟王林军魏光普夏义本
关键词：太阳能电池SNSZNO磁控溅射
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